上海积塔半导体有限公司杨凯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体器件结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210939599.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体器件结构的制备方法是由杨凯;叶蕾;黄永彬设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件结构的制备方法，制备方法包括：衬底上形成掩膜图形层，基于掩膜图形层于衬底内形成间隔排布的沟槽和有源区；去除部分掩膜图形层以显露有源区的顶角，在沟槽表面形成第一氧化层覆盖在显露的顶角及沟槽表面；用绝缘物填充沟槽形成第一绝缘层，刻蚀第一绝缘层及第一氧化层以显露有源区顶角；在顶角注入卤族元素，用刻蚀工艺去除注入卤族元素的有源区；在有源区的顶角表面形成第二氧化层，用绝缘物填充沟槽形成第二绝缘层。本发明通过对有源区顶角离子注入卤族元素，控制有源区顶角的刻蚀速率，实现了对有源区顶角处的圆角化的有效控制，从而降低了顶角的不平整形状产生的寄生器件影响，有利于提高器件可靠性。
本发明授权一种半导体器件结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤： 提供衬底，于所述衬底上形成掩膜图形层，基于所述掩膜图形层于所述衬底内形成间隔排布的沟槽，通过所述沟槽在所述衬底中分隔出多个有源区； 去除部分所述掩膜图形层以显露每个所述有源区的顶角； 在所述沟槽表面形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖每个所述有源区显露的所述顶角及所述沟槽表面； 用绝缘物对所述沟槽进行第一次填充，形成第一绝缘层； 刻蚀所述沟槽中的所述第一绝缘层及所述第一氧化层，以显露每个所述有源区的所述顶角； 在所述顶角离子注入卤族元素，用刻蚀工艺去除每个所述有源区的所述顶角注入卤族元素的部分，通过控制所述卤族元素在每个所述有源区的所述顶角的分布，以控制每个有源区顶角处形状，对每个有源区顶角圆角化精确控制； 在每个所述有源区的所述顶角形成第二氧化层； 用绝缘物对所述沟槽进行第二次填充，形成第二绝缘层。
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