中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所沈文超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利场发射器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210921500.3，技术领域涉及：H01J9/02；该发明授权场发射器件及其制作方法是由沈文超;张晓东;魏星;唐文昕;周家安;张宝顺设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本场发射器件及其制作方法在说明书摘要公布了：公开了一种场发射器件的制作方法，包括：在衬底上形成一次外延层；在一次外延层上形成多个二次外延结构；在一次外延层上形成发射极电极层以及位于发射极电极层和多个二次外延结构之间的介质层；在介质层和多个二次外延结构上依序形成层叠的保护层、绝缘层、栅电极层和平坦化层；对平坦化层进行刻蚀处理，以使介质层和部分二次外延结构上的部分栅电极层暴露；对部分二次外延结构上的保护层、绝缘层和暴露的栅电极层的部分进行刻蚀去除，以将部分二次外延结构暴露；在介质层上的暴露的栅电极层上形成栅极连接电极层；形成与暴露的部分二次外延结构彼此相对的阳极，阳极与暴露的部分二次外延结构彼此之间具有预定距离。还公开了一种场发射器件。
本发明授权场发射器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种场发射器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在衬底上形成一次外延层； 在所述一次外延层上形成多个二次外延结构，相邻的所述二次外延结构之间具有间隔； 在所述一次外延层上形成发射极电极层以及位于所述发射极电极层和所述多个二次外延结构之间的介质层； 在所述介质层和所述多个二次外延结构上依序形成层叠的保护层、绝缘层、栅电极层和平坦化层； 对所述平坦化层进行刻蚀处理，以使所述介质层和部分所述二次外延结构上的部分所述栅电极层暴露； 对部分所述二次外延结构上的保护层、绝缘层和暴露的所述栅电极层的部分进行刻蚀去除，以将部分所述二次外延结构暴露； 在所述介质层上的暴露的所述栅电极层上形成栅极连接电极层； 形成与暴露的部分所述二次外延结构彼此相对的阳极，所述阳极与暴露的部分所述二次外延结构彼此之间具有预定距离。
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