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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210906061.9，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路是由刘孙辰星;侯耀儒;蔡浩设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路，该电路主要包括于存储阵列外围电路引入的一种改进的内建自测试电路与一种多级电压输出的电平转换电路设计。本发明通过内建自测试的方法，为存储阵列中的每一列存储单元检测出能够将数据正确写入的最低写入电压值。根据检测出的所需写入电压值，相应地配置后一级连接的多级电压输出的电平转换电路的控制信号。多级电压输出的电平转换器能够输出某一范围内具有梯度的一系列电压信号，在存储阵列的外围电路中通过配置了相应控制信号的电平转换电路为存储阵列输出所需的写入电压。本发明能够在保证目标良率的前提下，尽可能地降低对存储单元写入操作的平均功耗。

本发明授权一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于自旋磁存储器的电压修调内建自测试电路，其特征在于，该电路模块在MRAM外围引入了内建自测试电路与多级电压输出的电平转换器电路； 所述的内建自测试电路，负责测试MRAM存储阵列中每一列的工艺波动程度，根据该波动情况产生决定多级输出的电平转换电路的控制信号； 所述多级输出的电平转换电路能够根据控制信号的不同配置情况输出一定范围内具有梯度的写入电压值，该输出范围为0到VDDH这一区间，其中VDDH为电平转换电路接入的高电平； 所述内建自测试电路能够检测存储阵列中每一列的工艺波动情况，据此生产多级电压输出的电平转换电路的控制信号LS[n:0]； 内建自测试电路的工作过程包括以下步骤： 当BIST_en信号使能，MRAM进入测试模式；测试向量生成模块产生测试向量，分为地址与数据两类，将其写入MRAM存储阵列； 将先前写入的数据从MRAM存储阵列中读出，通过诊断模块将其与期望数据比较，计算出对应列中的错误位数； 阵列输出的数据被传输至内建自测试电路，该数据经过XOR门与NAND门，将实际写入数据Output[7:0]与期望数据Data_exp[7:0]进行比较，产生错误指示标志信号Fail_flag；一旦Fail_flag=1，FBC错误位数计数变量增加； 若最终FBC错误位数计数变量高于目标良率下能够允许的最高错误位数，证明该列写入电压过小，需调整多级输出的电平转换电路的控制信号LS[n:0]使写入电压提高一级； 重新测试该列，直到满足目标写良率需求为止。

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