桂林电子科技大学;南宁桂电电子科技研究院有限公司吴军科获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学;南宁桂电电子科技研究院有限公司申请的专利SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115236477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210867983.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统是由吴军科;李辉;魏云鹏;魏向楠;古书杰;范兴明设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiCMOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiCMOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。
本发明授权SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统在权利要求书中公布了：1.SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法，其特征在于：包括以下步骤： 获取SiCMOSFET器件在不同结温下的跨导参数值； 对跨导参数值和温度进行拟合得到跨导参数值与温度的关系曲线； 所述跨导参数值是指SiCMOSFET器件的跨导的算术平方根； 所述结温校准曲线为跨导算术平方根-结温校准曲线。
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