深圳技术大学何斌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利金刚石基光阳极及其制备方法和光电催化装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115261919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210843454.X，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权金刚石基光阳极及其制备方法和光电催化装置是由何斌;黄江涛;韩培刚;孟爱云;张宗雁设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石基光阳极及其制备方法和光电催化装置在说明书摘要公布了：本发明涉及光电催化技术领域，具体提供一种金刚石基光阳极及其制备方法和光电催化装置。所述金刚石基光阳极包括依次层叠设置的基底、硼掺杂金刚石膜层以及n型半导体膜层；在硼掺杂金刚石膜层中，硼原子与碳原子的比例在200ppm～9000ppm之间；n型半导体膜层具有多孔结构以使硼掺杂金刚石膜层背对基底的表面的局部外露并且n型半导体膜层的禁带宽度低于2.5eV。本发明提供的金刚石基光阳极具有较为优异的光电催化特性。
本发明授权金刚石基光阳极及其制备方法和光电催化装置在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基光阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在基底上沉积形成硼掺杂金刚石膜层； 在所述硼掺杂金刚石膜层表面沉积形成n型半导体前驱膜； 对所述n型半导体前驱膜依次进行退火和碱刻蚀处理，获得具有多孔结构的n型半导体膜层； 其中，在所述硼掺杂金刚石膜层中，硼原子与碳原子的比例在200ppm~9000ppm之间； 其中，所述退火过程为将乙酰丙酮氧钒溶液涂覆于所述n型半导体前驱膜表面，并在空气气氛及400℃~550℃的条件下保温1h~4h，使所述n型半导体前驱膜转变成包括钒酸铋和五氧化二钒的膜层； 所述碱刻蚀处理为将退火得到的膜层置于35℃~50℃的碱液中保温10min~30min，以去除所述五氧化二钒，并在所述n型半导体膜层中得到纳米级的多孔结构； 还包括在所述n型半导体膜层表面沉积形成保护层。
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