电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利半导体纳米空气沟道二极管太赫兹光混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785713.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权半导体纳米空气沟道二极管太赫兹光混频器是由陈飞良;李沫;张健;姜昊;杨帆;王佳超;马培胜设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体纳米空气沟道二极管太赫兹光混频器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体纳米空气沟道二极管光混频器，属于半导体光电探测器与毫米波太赫兹器件技术领域。该光混频器包括衬底、半导体薄膜、纳米绝缘层、上电极、下电极；为垂直结构或水平结构。采用纳米空气沟道作为光电子高速弹道输运的通道，可实现带宽THz以上的光混频器；而且纳米空气沟道两边阴、阳极间施加几伏小偏压即可在半导体内产生载流子离化倍增，使光电流、响应度及光到太赫兹转换效率成倍增加；半导体纳米空气沟道光混频器融合了真空器件中电子近光速弹道输运和半导体器件高集成度批量化加工的优势，是实现大带宽高效率光混频器的有效方案。
本发明授权半导体纳米空气沟道二极管太赫兹光混频器在权利要求书中公布了：1.一种半导体纳米空气沟道二极管光混频器，其特征在于：所述光混频器包括衬底、半导体薄膜、纳米绝缘层、第一电极、第二电极； 该光混频器为垂直结构或水平结构； 当光混频器为垂直结构时，所述衬底上方设置半导体薄膜；所述半导体薄膜为具有高度差的阶梯型薄膜，其中高度较低的区域为第一台面，高度较高的区域为第二台面；所述第一台面上方设置有第一电极；所述第二台面上方设置纳米绝缘层；所述纳米绝缘层的上方设置第二电极；所述纳米绝缘层所占区域小于第二台面和第二电极，纳米绝缘层外侧为纳米空气沟道； 当光混频器为水平结构时，所述衬底上方设置绝缘层；所述绝缘层上方的右侧区域设置有第二电极，左侧区域设置有半导体薄膜，半导体薄膜上方设置有第一电极；所述半导体薄膜和第二电极之间为纳米空气沟道； 所述半导体薄膜的作用是实现对光的吸收并转换为电子、空穴对；当半导体薄膜作为阴极时，采用p型掺杂，第一电极施加负偏压；当半导体薄膜作为阳极时，采用n型掺杂，第一电极施加正偏压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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