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龙图腾网获悉广东汇芯半导体有限公司申请的专利一种模块及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210610406.6，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权一种模块及其制造方法是由冯宇翔设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模块及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种模块及其制造方法，包括：开关器件层、设置在开关器件层上的电路层、以及塑封件；开关器件层包括基板、设置在基板一侧上的散热结构、设置在基板上的功率开关器件芯片、快速恢复二极管、设置在基板上的多个引脚以及第一连接器，功率开关器件芯片的栅极通过导线与基板电缆层电连接，源极通过锡膏焊接在基板电路层上，漏极通过导线与快速恢复二极管的正极连接，快速恢复二极管的负极通过锡膏焊接在源极上；电路层包括双面电路板、设置在双面电路板的正面的通讯电路模块以及背面的驱动电路模块，多个连接孔通过锡膏焊接到驱动电路模块上实现电连接；塑封件盖上于电路层上并与基板配合密封设置。本发明能提高散热效果及生产效率。

本发明授权一种模块及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种模块，其特征在于，包括：开关器件层、设置在所述开关器件层上的电路层、以及密封设置在所述电路层上的塑封件； 所述开关器件层包括基板、设置在所述基板一侧上的散热结构、设置在所述基板上的功率开关器件芯片、快速恢复二极管、设置在所述基板上的多个引脚以及第一连接器，所述基板的上表面为基板电路层，所述功率开关器件芯片的背面为源极，所述功率开关器件芯片的正面为漏极，所述功率开关器件芯片的栅极通过导线与所述基板电路层电连接，所述源极通过锡膏焊接在所述基板电路层上，所述快速恢复二极管的正面为正极，所述快速恢复二极管的背面为负极，所述漏极通过导线与所述快速恢复二极管的正极连接，所述快速恢复二极管的负极通过锡膏焊接在所述源极上； 所述电路层包括双面电路板、设置在所述双面电路板的正面的通讯电路模块以及设置在所述双面电路板的背面的驱动电路模块，所述第一连接器上设有多个连接孔，所述多个连接孔通过锡膏焊接到所述驱动电路模块上实现电连接； 所述塑封件盖上于所述电路层上并与所述基板配合密封设置； 所述漏极通过第一粗铝线与所述快速恢复二极管的正极连接，所述栅极通过第二粗铝线与所述基板电路层连接； 所述驱动电路模块包括设置在所述双面电路板的背面的驱动IC芯片、第三粗铝线、多个第一容阻器件、第二连接器及多个第一插针，所述驱动IC芯片通过所述第三粗铝线与所述双面电路板电连接，所述多个第一容阻器件通过锡膏焊接在所述双面电路板上，所述多个第一插针设置在所述第二连接器上，所述第一连接器与所述第二连接器对应设置，所述多个第一插针与所述多个连接孔配合实现电连接。

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