广州粤芯半导体技术有限公司程超获国家专利权
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龙图腾网获悉广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470835.8，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权半导体结构的形成方法是由程超设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上包括硅区域和非硅区域；形成金属材料层，金属材料层包括钴；执行第一退火工艺，以使金属材料层在硅区域形成金属硅化物；执行湿法蚀刻工艺，利用氨水与双氧水的混合液去除未反应的钴，并在衬底进入氨水与双氧水的混合液前开启兆声装置，以利用兆声装置发出的兆声波防止混合液中的氧化钴结晶析出并附着于衬底的表面。本发明中，提前开启混合液的兆声装置，利用兆声装置发出的兆声波使得混合液本身的能量更大，提高混合液对氧化钴的溶解度，以形成不利于结晶析出氧化钴的环境，从而避免衬底进入混合液时氧化钴结晶析出并附着于衬底表面的问题。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上包括硅区域和非硅区域； 在所述衬底上形成金属材料层，所述金属材料层覆盖所述硅区域和非硅区域，所述金属材料层的材料包括钴； 执行第一退火工艺，以使所述金属材料层在所述硅区域形成金属硅化物，所述金属硅化物包括硅化钴； 将所述衬底置于第一药液槽中执行湿法蚀刻工艺，所述湿法蚀刻工艺采用的刻蚀液包括氨水与双氧水的混合液，以去除所述非硅区域的金属材料层并保留所述金属硅化物； 其中，在所述衬底进入所述氨水与双氧水的混合液之前开启兆声装置，并在执行所述湿法蚀刻工艺时利用兆声波防止所述氨水与双氧水的混合液中的氧化钴结晶析出附着于所述衬底的表面；所述兆声装置的功率为500瓦～5000瓦，所述兆声装置的频率为800kHz～2000kHz，在所述衬底进入所述氨水与双氧水的混合液前10秒～60秒开启所述兆声装置。
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