上海华虹宏力半导体制造有限公司李冰寒获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种分栅快闪存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210435368.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种分栅快闪存储单元及其制备方法是由李冰寒设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分栅快闪存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的源线及两个存储位，两个所述存储位对称设置，所述源线位于两个所述存储位之间；每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层，所述擦除栅包括第一部分和第二部分，所述第一部分沿水平方向延伸。所述第二部分沿竖直方向延伸；所述字线栅及所述遂穿氧化层依次堆叠于所述衬底上，且所述字线栅向上延伸至覆盖所述栅介质层及所述第一部分远离所述源线的一侧的侧壁。将所述擦除栅分为两部分，有效减小器件的尺寸，同时，所述擦除栅的设置可以减小所述分栅快闪存储单元的阈值电压，实现在低电压条件下进行读操作。
本发明授权一种分栅快闪存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：衬底及形成于所述衬底上的源线及两个存储位，两个所述存储位对称设置，所述源线位于两个所述存储位之间； 每个所述存储位包括浮栅、栅介质层、擦除栅、字线栅及遂穿氧化层，所述浮栅、栅介质层、擦除栅依次堆叠于所述衬底上，所述栅介质层包括第一介质层和第二介质层，所述擦除栅包括第一部分和第二部分，所述第一介质层覆盖所述浮栅，所述第二介质层覆盖部分所述第一介质层，所述第一部分覆盖所述第二介质层，所述第二部分覆盖所述第一介质层的剩余部分并向上延伸至覆盖所述第二介质层和所述第一部分的侧壁，且所述第二部分位于靠近所述源线的一侧； 所述字线栅及所述遂穿氧化层依次堆叠于所述衬底上，且所述字线栅向上延伸至覆盖所述栅介质层及所述第一部分远离所述源线的一侧的侧壁。
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