南京大学叶建东获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210368423.3，技术领域涉及：H10D62/82；该发明授权一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法是由叶建东;巩贺贺;任芳芳;朱顺明;吕元杰;冯志红;顾书林;张荣设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有倾斜角度的氧化镍台面，台面倾斜角度与入射角度正相关。相比于光刻制备氧化镍图案的方法，采用硬掩模制备氧化镍图案工艺简单，成本低，而且可以自由控制氧化镍斜台面倾斜角度的大小，同时斜台面的设计增加了器件的击穿电压，对高耐压、大电流氧化镓功率器件的大规模应用具有重要意义。
本发明授权一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍氧化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供正面为氧化镓低掺杂漂移层110的氧化镓单晶晶片，背面做欧姆接触电极200并且快速热退火处理； S2、提供带有镂空图案的硬掩模300； S3、将所述硬掩模300与所述氧化镓低掺杂漂移层110保持一定的距离，调节磁控溅射氧化镍靶材500与所述氧化镓单晶晶片的入射角度； S4、磁控溅射氧化镍400，通过所述硬掩模300的镂空处生长在所述氧化镓单晶晶片正面的氧化镓低掺杂漂移层110上，获得包括自上而下的氧化镍氧化镓异质PN结构；其中，所述氧化镍氧化镓异质PN结构中的氧化镍400的边缘处具有倾斜角度的台面； S5、制备阳极600与氧化镍400形成欧姆接触。
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