上海华虹宏力半导体制造有限公司于涛易获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210239389.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权闪存器件及其制造方法是由于涛易;江红设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，其中，所述闪存器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层，所述浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层上形成有暴露所述衬底的第一开口；在所述第一开口的侧壁及底部形成第一侧墙；沿所述第一开口向下刻蚀所述第一开口底部的所述第一侧墙和部分所述衬底形成第二开口，使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离；以及，在所述第二开口的侧壁及底部形成第二侧墙，并在所述第二开口内形成字线。本发明通过刻蚀部分衬底使后续形成的字线的底部低于衬底表面，从而增加所述字线的有效长度，减小了闪存器件的短沟道效应，提高了闪存器件的写入效率。
本发明授权闪存器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层，所述浮栅材料层、控制栅材料层及硬掩膜层上形成有暴露所述衬底的第一开口； 在所述第一开口的侧壁及底部形成第一侧墙； 沿所述第一开口向下刻蚀所述第一开口底部的所述第一侧墙和部分所述衬底形成第二开口，使所述第二开口的底部低于所述衬底的表面一设定距离；以及， 在所述第二开口的侧壁及底部形成第二侧墙，并在所述第二开口内形成字线； 其中，形成于所述字线与所述衬底之间的所述第二侧墙的厚度范围为
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