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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097237.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法是由詹曜宇;张志刚;王奇伟设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，在衬底上形成包含栅氧层及多晶硅层的叠层；刻蚀叠层形成叠层结构；沉积覆盖叠层结构及被暴露出的衬底上的第一侧墙层；刻蚀侧墙层，将叠层结构顶部及衬底上表面暴露，在叠层结构的侧壁形成第一侧墙；在叠层结构的侧壁形成第二侧墙；刻蚀叠层结构，在叠层结构上形成多个狭槽；狭槽底部为多晶硅层；光刻胶回刻，形成覆盖衬底以及填充于狭槽的介质层；平坦化介质层；去除多晶硅层形成凹槽，并露出衬底上表面的栅氧层；在凹槽内填充金属，平坦化金属。本发明通过将多晶硅刻蚀与形成狭槽的工艺进行分离，最大程度减少狭槽形成对栅氧层的影响，极大地减轻了高压器件可靠性降低的风险。

本发明授权一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上自下而上依次形成包含栅氧层以及多晶硅层的叠层；其中所述栅氧层位于所述衬底上表面，所述多晶硅层位于所述栅氧层的上表面； 步骤二、刻蚀所述叠层，形成叠层结构； 步骤三、沉积覆盖所述叠层结构及被暴露出的所述衬底上表面的第一侧墙层； 步骤四、刻蚀所述侧墙层，将所述叠层结构的顶部以及所述衬底上表面暴露，在所述叠层结构的侧壁形成第一侧墙； 步骤五、沉积覆盖所述叠层结构顶部及其侧壁的所述第一侧墙、被暴露出的所述衬底上表面的第二侧墙层；之后刻蚀所述第二侧墙层，将所述叠层结构的顶部以及所述衬底上表面暴露，在所述叠层结构的侧壁形成依附于所述第一侧墙的第二侧墙； 步骤六、在所述叠层结构上旋涂光刻胶；光刻形成光刻胶结构；按照所述光刻胶结构刻蚀所述叠层结构，至所述叠层结构中的所述多晶硅层未被刻穿，形成多个狭槽，从而使得所述狭槽底部为多晶硅层，所述狭槽下方的所述栅氧层未被暴露； 步骤七、光刻胶回刻，并在所述衬底上形成覆盖所述衬底以及填充于所述狭槽的介质层；之后平坦化所述介质层； 步骤八、去除所述多晶硅层形成凹槽，并露出衬底上表面的所述栅氧层； 步骤九、在所述凹槽内填充金属； 步骤十、平坦化所述金属。

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