北京超弦存储器研究院;清华大学高滨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;清华大学申请的专利神经网络批标准化层硬件实现方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114462585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111616640.1，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权神经网络批标准化层硬件实现方法、装置、设备及介质是由高滨;周颖;唐建石;张清天;钱鹤;吴华强设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本神经网络批标准化层硬件实现方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及神经网络计算技术领域，特别涉及一种神经网络批标准化层硬件实现方法、装置、设备及介质，其中，方法包括：在神经网络中，确定神经网络的当前卷积结果；基于当前卷积结果生成K矩阵，并得到与K矩阵呈映射关系的忆阻器阵列，其中，忆阻器阵列的电导差值与K矩阵的参数相对应；利用忆阻器阵列进行神经网络的BN层计算，得到BN层的计算结果。由此，解决了相关技术中BN层计算只适用于二值神经网络，不适合用于较高精度的神经网络硬件实现等问题，通过在忆阻器阵列上实现BN层计算，节约了数据在处理器单元和忆阻器阵列单元之间的来回传输，提高系统能效。
本发明授权神经网络批标准化层硬件实现方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种神经网络批标准化层硬件实现方法，其特征在在于，包括以下步骤： 在神经网络中，确定所述神经网络的当前卷积结果； 基于所述当前卷积结果生成K矩阵，并得到与所述K矩阵呈映射关系的忆阻器阵列，其中，所述忆阻器阵列的电导差值与所述K矩阵的参数相对应；以及 利用所述忆阻器阵列进行所述神经网络的BN层计算，得到所述BN层的计算结果； 其中，所述得到与所述K矩阵呈映射关系的忆阻器阵列，包括：将所述忆阻器阵列中任意两忆阻器单元构成2T2R单元，得到所述忆阻器阵列； 所述任意两忆阻器单元的源线相连，且位线上施加相同幅值、极性相反的电压脉冲信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;清华大学，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号