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龙图腾网获悉深圳大普微电子科技有限公司申请的专利异常掉电下Trim数据的恢复方法、系统及固态硬盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114237984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111562876.1，技术领域涉及：G06F11/14；该发明授权异常掉电下Trim数据的恢复方法、系统及固态硬盘是由郭少敏;韩斌;陈祥设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本异常掉电下Trim数据的恢复方法、系统及固态硬盘在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异常掉电下Trim数据的恢复方法、系统及固态硬盘。本申请涉及两个位图，一个是Trim位图，Trim位图的修改信息和重置信息记录到Trim日志中；另一个是TrimL2P位图，TrimL2P位图的修改信息记录到TrimL2P日志中。则在系统异常掉电后上电的过程中，可通过Trim日志恢复Trim位图，通过TrimL2P日志恢复TrimL2P位图，且根据恢复出的TrimL2P位图可恢复L2P表的无效表项，从而有效避免了系统异常掉电过程中Trim数据的丢失，提升了SSD的可靠性。另外，采用位图恢复方式的恢复时间较短，从而使得系统异常掉电后上电恢复的时间较短，给用户带来较好的使用体验。

本发明授权异常掉电下Trim数据的恢复方法、系统及固态硬盘在权利要求书中公布了：1.一种异常掉电下Trim数据的恢复方法，其特征在于，应用于固态硬盘，包括： 在接收到Trim命令后，基于所述Trim命令修改Trim位图，并将所述Trim位图的修改信息记录到Trim日志中； 在垃圾回收过程中，若根据所述Trim位图判定出预垃圾回收的目标逻辑地址对应的目标存储数据为无用数据，则跳过所述目标存储数据的垃圾回收； 将所述Trim位图中与所述目标逻辑地址对应的比特位重置为有效状态，并将所述Trim位图的重置信息记录到所述Trim日志中； 将L2P表中与所述目标逻辑地址对应的目标物理地址修改为无效地址，并将TrimL2P位图中与所述目标逻辑地址对应的比特位修改为无效状态，且将所述TrimL2P位图的修改信息记录到TrimL2P日志中； 在系统异常掉电后上电的过程中，根据所述Trim日志恢复所述Trim位图，并根据所述TrimL2P日志恢复所述TrimL2P位图，且根据恢复的所述TrimL2P位图恢复所述L2P表的无效表项，以恢复出系统异常掉电前的Trim数据。

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