浙江大学何赛灵获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114236663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111531044.3，技术领域涉及：G02B5/28；该发明授权大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法是由何赛灵;郭庭彪设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法。从下到上依次包括基底、下层反射膜、介质层、上层反射膜、上包层；所述的基底、下层反射膜、介质层、上层反射膜构成FP腔结构；FP腔结构上涂覆上包层，使滤波片阵列平坦化；所述的介质层呈台阶状。该滤波片阵列可以支持透射或者反射模式，且其上下表面平整，非常适合同其他器件进行集成。本发明提出的器件，可以通过一次曝光工艺，实现不同滤波片的大面积单片集成，可以极大的简化工艺流程，降低生产成本，且通过平坦化技术，使得该滤波片表面平整，经久耐用，方便与其他器件进行集成。
本发明授权大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列的制备方法，其特征在于：所述的多通道滤光片阵列从下到上依次包括基底、下层反射膜、介质层、上层反射膜、上包层； 1）通过溅射或蒸镀长膜工艺在基底上生长下层反射膜； 2）在下层反射膜上涂覆一层介质层，利用灰度曝光工艺对介质层进行曝光，通过控制曝光功率、曝光时间、曝光剂量，控制介质层的厚度，实现台阶状的介质层； 3）在所述介质层上制作上层反射膜，完成FP腔结构； 4）在FP腔结构上涂覆一上包层，对滤波片阵列进行平坦化处理； 所述的介质层由SU8聚合物构成，利用旋涂法或者辊涂法制备，不同滤波片通道的介质层厚度不同，且滤波片呈马赛克分布； 所述FP腔结构的反射膜选自金属材料或半导体材料，其中金属材料包括金、银、铝，半导体材料包括硅、锗、二氧化钛、氮化硅。
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