台湾积体电路制造股份有限公司林琨祐获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110559473.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由林琨祐;葛育菱;陈怡臻;廖志腾;陈臆仁设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底上方的硬掩模层上方形成牺牲图案，在牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案，去除牺牲图案，从而留下侧壁图案作为第一硬掩模图案，通过使用第一硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，从而形成第二硬掩模图案，并且通过使用第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化衬底，从而形成鳍结构。每个第一牺牲图案具有锥形形状，该锥形形状的顶部小于底部。本申请的实施例还涉及半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 在设置在衬底上方的硬掩模层上方形成牺牲图案； 在所述牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案，其中，相邻的所述牺牲图案的相对侧壁上的所述侧壁图案之间限定间隔件间隔； 去除所述牺牲图案，从而留下所述侧壁图案作为第一硬掩模图案，去除所述牺牲图案形成的间隔作为芯轴间隔； 去除所述第一硬掩模图案的一部分，以使得保留的所述间隔件间隔和所述芯轴间隔间隔布置，并且相邻的所述间隔件间隔和所述芯轴间隔间隔之间存在去除一个所述第一硬掩模图案而形成的空间； 通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层，从而形成第二硬掩模图案；以及 通过使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，从而形成鳍结构， 其中，每个所述牺牲图案具有倒锥形形状，所述倒锥形形状的顶部大于底部。
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