中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510649141.4，技术领域涉及：C30B9/10；该发明授权降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法是由张涛;刘宗亮;徐科;司志伟;彭晓辉设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法。所述制备方法包括：提供氮化镓籽晶；在第一温度和第一氮气压力下，使所述氮化镓籽晶在镓‑钠熔体内进行低掺杂生长，形成低掺杂层；在第二温度和第二氮气压力下，使所述氮化镓籽晶在镓‑钠熔体内进行二次生长，形成再生长层；其中，所述第一温度低于所述第二温度，所述第一氮气压力低于所述第二氮气压力。本发明通过两步法原位生长，先构建了低温低压的低掺杂层，然后基于低掺杂层进行再生长，减少了额外的加工步骤，能够有效抑制助熔剂法氮化镓生长过程中界面回溶问题，降低界面夹杂物以及空洞的出现，同时低掺杂层的引入，降低了界面应力，从而提高生长的晶体的品质。
本发明授权降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低助熔剂法氮化镓界面回溶和界面应力的制备方法，其特征在于，包括： 提供氮化镓籽晶； 在第一温度和第一氮气压力下，使所述氮化镓籽晶在镓-钠熔体内进行低掺杂生长，形成低掺杂层； 在第二温度和第二氮气压力下，使所述氮化镓籽晶在镓-钠熔体内进行二次生长，形成再生长层； 其中，所述第一温度低于所述第二温度，所述第一氮气压力低于所述第二氮气压力；所述第一温度为500~700℃，所述第一氮气压力为2~3MPa；所述低掺杂生长的时间为3~5h；所述第二温度为700~900℃，所述第二氮气压力为3~5MPa；所述二次生长的时间为10~100h；所述镓-钠熔体中的金属镓和金属钠的质量比为（20-40）：（60-80）。
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