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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种多指GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120187108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510648281.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种多指GGNMOS结构是由郑瑞;沈国平;房祥梅;陈东坡设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多指GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多指GGNMOS结构，包括设置于衬底上的P型well掺杂类型阱区、多个条形N型掺杂类型有源区、P型重掺杂有源区和多个环形多晶硅栅；多个条形N型掺杂类型有源区间隔设置于P型well掺杂类型阱区内；P型重掺杂有源区呈环形包围多个条形N型掺杂类型有源区；每一环形多晶硅栅的两纵侧边位于对应的两条形N型掺杂类型有源区之间，且每一环形多晶硅栅的两纵侧边之间的中部设有连接区域，连接区域上设有连接金属接触孔的位置，以使得P型well掺杂类型阱区上和连接金属接触孔的位置的表面电势被钳位到接近地电位。本发明能够降低中间位置的有效衬底电阻，使得中指的导通难度趋近于边缘指的导通难度，解决了多指GGNMOS结构中的导通不均匀的问题。

本发明授权一种多指GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种多指GGNMOS结构，其特征在于，包括： 设置于衬底上的P型well掺杂类型阱区； 多个条形N型掺杂类型有源区，所述多个条形N型掺杂类型有源区间隔设置于所述P型well掺杂类型阱区内； P型重掺杂有源区，所述P型重掺杂有源区设置于所述P型well掺杂类型阱区内，且呈环形包围所述多个条形N型掺杂类型有源区，所述P型重掺杂有源区和所述多个条形N型掺杂类型有源区隔离设置； 多个环形多晶硅栅，多个所述环形多晶硅栅间隔设置于所述P型well掺杂类型阱区上，且每一所述环形多晶硅栅的两纵侧边位于对应的两条形N型掺杂类型有源区之间，且每一所述环形多晶硅栅的两纵侧边之间的中部设有连接区域，所述连接区域上设有连接金属接触孔的位置，以使得所述P型well掺杂类型阱区上和所述连接金属接触孔的位置的表面电势被钳位到接近地电位，其中，所述金属接触孔为所述环形多晶硅栅和金属层的导电通道。

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