惠科股份有限公司崔见玉获国家专利权
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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120143521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510633847.1,技术领域涉及:G02F1/167;该发明授权阵列基板和显示面板是由崔见玉;李泽尧;朱先飞;蓝天;徐培设计研发完成,并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板和显示面板,主要涉及显示技术领域,第一栅极、第一源极、第一连接电极、第一漏极和像素电极均设置在衬底上,第一源极和第一连接电极之间设置有第一半导体结构,第一连接电极和第一漏极之间设置有第二半导体结构,第一源极、第一半导体结构、第一连接电极、第二半导体结构和第一漏极依次连接,像素电极与第一漏极连接;定义第一源极和第一连接电极之间的沟道为第一源极沟道,定义第一漏极和第一连接电极之间的沟道为第一漏极沟道,第一源极沟道的长度方向和第一漏极沟道的长度方向具备夹角;通过上述设计,避免在折叠区域处显示画面的时候出现灰度下降的问题,避免显示面板画面显示不均匀。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底、第一主动开关和像素电极;所述第一主动开关包括第一栅极、第一源极、第一连接电极和第一漏极,所述第一栅极、所述第一源极、所述第一连接电极、所述第一漏极和所述像素电极均设置在所述衬底上,所述第一源极和第一连接电极之间设置有第一半导体结构,所述第一连接电极和第一漏极之间设置有第二半导体结构,所述第一源极、所述第一半导体结构、所述第一连接电极、所述第二半导体结构和所述第一漏极依次连接,所述像素电极与所述第一漏极连接; 定义所述第一源极和所述第一连接电极之间的沟道为第一源极沟道,定义所述第一漏极和所述第一连接电极之间的沟道为第一漏极沟道,所述第一源极沟道的长度方向和所述第一漏极沟道的长度方向具备夹角; 所述第一源极沟道的长度方向和所述第一漏极沟道的长度方向垂直;所述第一连接电极包括第一连接电极部和第二连接电极部,所述第一连接电极部和所述第二连接电极部垂直连接; 所述第一半导体结构连接所述第一源极和所述第一连接电极部,所述第二半导体结构连接所述第一漏极和所述第二连接电极部; 所述第一源极和所述第一连接电极部平行;所述第一漏极和所述第二连接电极部平行;所述第一源极和所述第一漏极均为I型。
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