北京特思迪半导体设备有限公司孙昕宇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京特思迪半导体设备有限公司申请的专利透光扁平件的吸光率确定方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120102492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510602877.6，技术领域涉及：G01N21/31；该发明授权透光扁平件的吸光率确定方法及设备是由孙昕宇;孟炜涛;周惠言;蒋继乐设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本透光扁平件的吸光率确定方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及光学测量领域，提供一种透光扁平件的吸光率确定方法及设备，用于测量吸光率，所述方法包括：获取光谱共聚焦测量系统采集的透光扁平件反射光的光谱数据；根据所述光谱数据确定透光扁平件的上表面聚焦峰值波长、上表面聚焦峰值和透光扁平件的下表面聚焦峰值波长、下表面聚焦峰值；确定对应于上表面聚焦峰值波长的上表面反射率、对应于下表面聚焦峰值波长的下表面反射率；根据上表面聚焦峰值、下表面聚焦峰值、上表面反射率和下表面反射率确定透光扁平件的吸光率。
本发明授权透光扁平件的吸光率确定方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种透光扁平件的吸光率确定方法，其特征在于，包括： 获取光谱共聚焦测量系统采集的透光扁平件反射光的光谱数据； 根据所述光谱数据确定透光扁平件的上表面聚焦峰值波长、上表面聚焦峰值和透光扁平件的下表面聚焦峰值波长、下表面聚焦峰值； 确定对应于上表面聚焦峰值波长的上表面反射率、对应于下表面聚焦峰值波长的下表面反射率； 根据上表面聚焦峰值、下表面聚焦峰值、上表面反射率和下表面反射率确定透光扁平件的吸光率： , , , 其中是根据上表面聚焦峰值和下表面聚焦峰值确定的聚焦峰值比值，是根据上表面反射率和下表面反射率确定的上下表面聚焦波长对吸光率的影响因子。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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