湖北星辰技术有限公司杨道虹获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510577734.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体结构及其形成方法是由杨道虹;王逸群;胡陈诚;刘淑娟;胡文超设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底结构上形成图案化的第一金属氮化物层；对第一金属氮化物层暴露出的侧壁以及顶面进行氧化处理；第一电介质层包括第一金属氧化物层以及位于第一金属氧化物层与剩余的第一金属氮化物层之间的第一金属氮氧化物层；在暴露出的基底结构上以及第一电介质层上形成图案化的第二金属氮化物层。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底结构； 在所述基底结构上形成图案化的第一金属氮化物层； 然后，对所述第一金属氮化物层暴露出的侧壁以及顶面进行氧化处理，得到覆盖剩余的所述第一金属氮化物层的第一电介质层；所述第一电介质层包括第一金属氧化物层以及位于所述第一金属氧化物层与剩余的所述第一金属氮化物层之间的第一金属氮氧化物层； 在暴露出的基底结构上以及所述第一电介质层上直接形成图案化的第二金属氮化物层； 对图案化的所述第二金属氮化物层暴露出的侧壁以及顶面进行氧化处理，得到覆盖剩余的所述第二金属氮化物层的第二电介质层；所述第二电介质层包括第二金属氧化物层以及位于所述第二金属氧化物层与剩余的所述第二金属氮化物层之间的第二金属氮氧化物层；在对图案化的所述第二金属氮化物层暴露出的侧壁以及顶面进行氧化处理时，暴露出的所述第一电介质层以及暴露出的所述第一电介质层下方的所述第一金属氮化物层会被进一步氧化，实现自修复； 在所述第二电介质层以及暴露出的第一电介质层上直接形成图案化的第三金属氮化物层。
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