买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司申请的专利一种抑制局部放电的氮化铝覆铜陶瓷衬板及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510525874.7，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种抑制局部放电的氮化铝覆铜陶瓷衬板及其制备方法和应用是由黄世东;季玮;孙结石;沈轶聪设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抑制局部放电的氮化铝覆铜陶瓷衬板及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于覆铜板制造技术领域，具体涉及一种抑制局部放电的氮化铝覆铜陶瓷衬板及其制备方法和应用，所述氮化铝覆铜陶瓷衬板包括氮化铝陶瓷基板、复合于所述基板表面的金属导电层，所述金属导电层经图形化刻蚀形成互联导电线路，所述互联导电线路之间形成暴露出氮化铝陶瓷基板的刻蚀间隙；所述氮化铝陶瓷基板位于所述刻蚀间隙处的表面覆盖有功能性氧化层；所述功能性氧化层包含以纳米级Al2O3颗粒为主相的多孔基体和嵌埋于多孔基体内部的硅铝氧化物网络结构。本申请通过在氮化铝陶瓷基板表面形成一层功能性氧化层，从而抑制了电荷的积聚，使得氮化铝陶瓷表面电场分布更加均匀，实现了改善氮化铝覆铜陶瓷衬板在高压下的局部放电的目的。

本发明授权一种抑制局部放电的氮化铝覆铜陶瓷衬板及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种抑制氮化铝覆铜陶瓷衬板局部放电的方法，其特征在于，包括以下步骤： （S.1）对未进行图形转移的氮化铝覆铜陶瓷衬板进行蚀刻处理，从而得到互联导电线路以及位于互联导电线路之间完全漏出氮化铝陶瓷板的刻蚀间隙； （S.2）互联导电线路表面进行覆膜处理，并将刻蚀间隙处暴漏的氮化铝陶瓷板在碱性条件下进行原位活化，从而在氮化铝陶瓷板表面形成具有粗糙结构的亲水性反应界面； （S.3）将具有粗糙结构的亲水性反应界面置于酸性环境中，使得氮化铝陶瓷板表面的铝离子释放并在其表面富集； （S.4）将氮化铝陶瓷板表面的铝离子通过与硅酸盐与有机配体的协同作用从而生成包含有氧化铝、硅酸铝以及有机铝络合物的均匀钝化层； （S.5）在保护性气氛中对衬板进行高温热处理，从而将位于所述刻蚀间隙处的均匀钝化层转化为能够抑制电荷积聚的功能性氧化层，所述功能性氧化层包含以纳米级Al2O3颗粒为主相的多孔基体和嵌埋于多孔基体内部的硅铝氧化物网络结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司，其通讯地址为：314006 浙江省嘉兴市南湖区亚太路778号9号楼二层北；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。