杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司莫庆伟获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510472130.3，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块是由莫庆伟;陈浩设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块在说明书摘要公布了：本申请涉及一种VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块，VCSEL芯片包括衬底、依次设于衬底上的导热部和VCSEL器件功能层以及设于衬底背离导热部一侧的加热层；其中，衬底设有通孔；加热层通过通孔与导热部连接，以使加热层产生的热量经导热部传输至VCSEL器件功能层。在VCSEL芯片处于低温环境的情况下，本申请的VCSEL芯片能够通过加热层加热，且使得加热层产生的热量经导热部快速传输至VCSEL器件功能层，使得VCSEL器件功能层的传输性能不受低温环境影响。且可以通过导热部将VCSEL芯片产生的热量高效地传导出去，因此本申请中的VCSEL芯片的散热效率也能得以提升，避免温度持续升高而导致VCSEL芯片的输出功率降低。
本发明授权VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片包括衬底、依次设于衬底上的导热部和VCSEL器件功能层以及设于所述衬底背离所述导热部一侧的加热层； 其中，所述衬底设有通孔；所述加热层通过所述通孔与所述导热部连接，以使所述加热层产生的热量经所述导热部传输至所述VCSEL器件功能层； 所述VCSEL器件功能层包括缓冲层； 其中，所述导热部为透过所述通孔对所述缓冲层进行离子注入形成的重掺杂层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州开幕光子技术有限公司;浙江老鹰半导体技术有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区宁围街道萧清大道866号8幢1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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