江苏长晶科技股份有限公司康子楠获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458372.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由康子楠;杨国江;芮强设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法，屏蔽栅场效应晶体管包括屏蔽栅、控制栅和源极金属，屏蔽栅和控制栅位于沟槽内，屏蔽栅包括栅体部分和延伸部分，栅体部分位于控制栅下方，延伸部分由栅体部分向上延伸，自控制栅两侧引出至沟槽顶部，或延伸部分自控制栅一侧引出至沟槽顶部；延伸部分的顶部通过配置接触孔结构与源极金属直接接触。本发明较传统SGT中屏蔽栅与控制栅的上下结构，可以在延伸出的屏蔽栅延伸部分顶部开整条接触孔与源极金属直接接触，消除了屏蔽栅电阻，从而避免了屏蔽栅电流电压，消除了屏蔽引入的电压钳位问题，同时改善整体芯片的电荷平衡效应及电场分布，降低电流集中。
本发明授权一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种消除电压钳位的屏蔽栅场效应晶体管，其特征是包括屏蔽栅、控制栅和源极金属，屏蔽栅和控制栅位于沟槽内，屏蔽栅包括栅体部分和延伸部分，所述栅体部分位于控制栅下方，所述延伸部分由栅体部分向上延伸，自控制栅左右两侧引出至沟槽顶部，屏蔽栅形成“凹”形，控制栅夹在延伸部分中间，延伸部分的顶部通过配置接触孔contact结构与源极金属接触，屏蔽栅的延伸部分与控制栅并排，接触孔contact结构沿延伸部分的顶面配置，呈现为并排的长条形。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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