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龙图腾网获悉浙江老鹰半导体技术有限公司申请的专利光电二极管及其制备方法、光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510465377.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权光电二极管及其制备方法、光模块是由谷泓毅;陈顺利;赵波设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电二极管及其制备方法、光模块在说明书摘要公布了：本申请涉及一种光电二极管及其制备方法、光模块，光电二极管的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成外延层，外延层包括第一导电类型半导体层以及第二导电类型半导体层，第一导电类型半导体层位于第二导电类型半导体层的远离衬底的一侧；刻蚀外延层，形成至少一阶半导体台阶，且在形成每阶半导体台阶之后，形成覆盖在前结构的第一保护层，且至少在形成最后一个第一保护层之前形成至少覆盖光敏面的反射率调节层；反射率调节层被配置为调节光线在光敏面所处范围内的反射率；刻蚀光敏面所处范围内的第一保护层至暴露反射率调节层。本申请可以有效提高光电二极管可靠性。

本发明授权光电二极管及其制备方法、光模块在权利要求书中公布了：1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成外延层，所述外延层包括第一导电类型半导体层以及第二导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层位于所述第二导电类型半导体层的远离所述衬底的一侧； 刻蚀所述外延层，形成至少一阶半导体台阶，且在形成每阶半导体台阶之后，形成覆盖在前结构的第一保护层，且至少在形成最后一个第一保护层之前形成至少覆盖光敏面的反射率调节层；所述反射率调节层被配置为调节光线在所述光敏面所处范围内的反射率；其中，第一阶半导体台阶的远离衬底的表面为光敏面， 刻蚀所述光敏面所处范围内的所述第一保护层至暴露所述反射率调节层； 刻蚀所述外延层，形成至少一阶半导体台阶，且在形成每阶半导体台阶之后，形成覆盖在前结构的第一保护层，且至少在形成最后一个第一保护层之前形成至少覆盖光敏面的反射率调节层，包括： 在所述第一导电类型半导体层远离所述衬底的一侧形成所述反射率调节层； 刻蚀所述反射率调节层以及所述外延层，形成至少一阶半导体台阶，且在形成每阶半导体台阶之后，形成覆盖在前结构的第一保护层。

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