全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利用于OPC建模的方法、设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510416248.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权用于OPC建模的方法、设备和存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于OPC建模的方法、设备和存储介质在说明书摘要公布了：根据本公开的示例实施例提供了用于光学邻近校正（OPC）建模的方法、设备和存储介质。该方法包括：初始化用于OPC模型的多个核函数，多个核函数至少包括第一类别的核函数和第二类别的核函数，第一类别的核函数指示随距离增加而衰减的光学邻近效应，第二类别的核函数指示随距离突变的光学邻近效应，距离指示目标版图上的目标点和邻近点之间的间距；校准多个核函数；以及基于经校准的多个核函数，构建OPC模型。以此方式，可以构建适用于接触式光刻机的OPC模型，从而可以补偿光刻的过程中的失真，使最终形成的图形更接近设计要求。
本发明授权用于OPC建模的方法、设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于OPC建模的方法，其特征在于，包括： 初始化用于光学邻近校正OPC模型的多个核函数，所述多个核函数至少包括第一类别的核函数和第二类别的核函数，所述第一类别的核函数指示随距离增加而衰减的光学邻近效应，所述第二类别的核函数指示随距离突变的光学邻近效应，所述距离指示目标版图上的目标点和邻近点之间的间距； 校准所述多个核函数；以及 基于经校准的所述多个核函数，构建所述OPC模型。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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