深圳宏芯宇电子股份有限公司;厦门宏芯创电子有限公司苏志超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳宏芯宇电子股份有限公司;厦门宏芯创电子有限公司申请的专利存储器管理方法及存储器控制器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119917426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510406173.1,技术领域涉及:G06F12/02;该发明授权存储器管理方法及存储器控制器是由苏志超;李明彦;邱敏彦;卢萍忠;刘用飞;苏洁设计研发完成,并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器管理方法及存储器控制器在说明书摘要公布了:本公开提供一种存储器管理方法及其控制器。该方法包括:获取待存储的映射表数据;根据多个芯片使能引脚的总数量,确定阵列存储组的大小,其中阵列存储组包括对应数量小于总数的芯片使能引脚的多个实体页;基于字串线顺序、芯片使能引脚顺序以及平面顺序,设定接续排列的多个阵列存储组;以及将映射表数据存储到多个阵列存储组中,其中相邻排列的两个阵列存储组各自的校验页对应到不同的芯片使能引脚。通过本公开的技术方案,可以提高映射表数据的存储分布均匀性,确保数据读取的并行效率,同时维持数据保护的可靠性。
本发明授权存储器管理方法及存储器控制器在权利要求书中公布了:1.一种存储器管理方法,适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个芯片,所述多个芯片各自对应芯片使能引脚,每个芯片包括P个平面,其特征在于,所述方法包括: 获取待存储的映射表数据; 根据多个芯片使能引脚的总数量N,确定每个阵列存储组的固定大小,其中所述阵列存储组包括对应M个芯片使能引脚的多个实体页,其中M小于N且大于1,并且M等于N减去预定值; 基于字串线顺序、芯片使能引脚顺序以及平面顺序,设定接续排列的多个阵列存储组,其中每个阵列存储组的所述多个实体页分别对应到所述M个芯片使能引脚的不同的平面;以及 将所述映射表数据存储到所述多个阵列存储组中,其中每个阵列存储组的所述多个实体页包括多个数据页和一个校验页,其中所述多个数据页用以存储对应所述阵列存储组的部分映射表数据,并且所述校验页用以存储对应所述部分映射表数据的校验数据,其中每个阵列存储组的所述校验页在所述阵列存储组内具有预定的固定位置, 其中相邻排列的两个阵列存储组各自的所述校验页对应到不同的芯片使能引脚。
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