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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510406682.4，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法是由邓岳;弓正;何宗霖;鲁思为;赵泽同;郝晨曦;于照中;顾祚亚设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法，该忆容器包括：自上而下依次设置的顶栅电极、顶介电层、屏蔽层和读出电极；其中：所述顶栅电极，完全覆盖于所述顶介电层的上表面；所述顶栅电极的顶面具有与外部输入电路连接的输入端；所述顶介电层，覆盖于所述屏蔽层上表面的部分区域；所述屏蔽层，位于所述顶介电层和读出电极之间，且下表面完全覆盖于所述读出电极的上表面；所述读出电极的下表面具有与外部输出电路电连接的输出端。本发明涉及半导体技术领域；通过在电极之间引入屏蔽层，利用电荷屏蔽效应实现高动态范围的电容变化，从而在保持高精度的同时显著降低功耗。

本发明授权一种忆容器、制备方法和神经网络并行计算芯片及其应用方法在权利要求书中公布了：1.一种忆容器，其特征在于，包括：自上而下依次设置的顶栅电极、顶介电层、屏蔽层和读出电极； 其中： 所述顶栅电极，完全覆盖于所述顶介电层的上表面；所述顶栅电极的顶面具有与外部输入电路连接的输入端； 所述顶介电层，覆盖于所述屏蔽层上表面的部分区域； 所述屏蔽层，位于所述顶介电层和读出电极之间，且下表面完全覆盖于所述读出电极的上表面； 所述读出电极的下表面具有与外部输出电路电连接的输出端； 忆容器的制备方法，包括以下步骤： S1、制备复合衬底；所述复合衬底自上而下依次分为器件层、埋地氧化层、掺P外延层及外延层； S2、在所述器件层的上表面预先蚀刻对准标记，并通过离子注入和快速退火工艺形成p+掺杂区和n+掺杂区，作为屏蔽层； S3、在所述器件层的上表面进行氧化处理，制备顶介电层，并覆盖氮化钛盖层，作为顶栅电极； S4、采用溅射沉积的方式在所述顶介电层中制备第一金属化层；并根据所述对准标记采用刻蚀法纵向贯穿所述掺P外延层形成两个深沟槽，将两个深沟槽之间的掺P外延层作为读出电极。

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