浙江微针半导体有限公司林隆获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江微针半导体有限公司申请的专利一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119911872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510377959.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法是由林隆;刘红军;刘永庆设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于MEMS探针技术领域，具体涉及一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法，先制作银靶铜合金的探针基材，在探针的针尖部分注入铑离子，形成所需的掺杂层。本发明在银靶铜合金基材上注入铑金属，显著提高了探针的电性能表现，使其在高要求的应用场景中表现出色；注入的铑金属显著增强了探针针尖的耐磨性，延长了探针的使用寿命；铑金属具有优良的抗氧化性能，使探针在高温和恶劣环境下仍能保持良好的性能。
本发明授权一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法在权利要求书中公布了：1.一种利用离子注入提高电性能表现的MEMS探针制作方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、准备硅晶圆衬底，并进行预处理； S2、在硅衬底上沉积TiNi种子层； S3、在TiNi种子层上通过光刻显影出探针图形； S4、进行探针电镀； S5、进行CMP，将探针上方研磨平整； S6、在探针上进行光刻显影，露出探针针尖部分； S7、对针尖部分进行离子注入： S7.1、设计注入参数：确定离子种类、剂量、能量和注入角度；注入离子种类为铑离子，剂量为1×10^15cm^-2，能量为50keV~60keV，注入角度为0°； S7.2、将选定的离子注入探针针尖部分，形成所需的掺杂层； S8、去胶，剥离出探针； S9、对探针针尖部分进行退火处理，以激活掺杂原子并修复晶格损伤； S10、将探针针尖部分加工成所需的形状和尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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