上海艾为微电子技术有限公司周毓获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾为微电子技术有限公司申请的专利一种LED的灯压检测装置、方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119881729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353701.1，技术领域涉及：G01R31/44；该发明授权一种LED的灯压检测装置、方法是由周毓;蔡训广;程涛设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED的灯压检测装置、方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种LED的灯压检测装置、方法，装置包括：偏置电路、至少两组结构一致的预处理电路、信号处理电路；预处理电路包括：信号衰减电路和第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，信号衰减电路的输出端连接第一MOS管的漏极，第一MOS管和第二MOS管的栅极均连接使能信号，第一MOS管的源极连接节点，第二MOS管的漏极连接节点，第二MOS管的源极连接信号处理电路的输入端，第三MOS管的栅极连接使能信号的反相信号，第三MOS管的漏极连接节点，第三MOS管的源极接地。
本发明授权一种LED的灯压检测装置、方法在权利要求书中公布了：1.一种LED的灯压检测装置，其特征在于，所述装置包括： 偏置电路，用于为所述LED提供偏置电流；至少两组结构一致的预处理电路，用于对所述LED中所选择通道的两端灯压进行衰减处理，获得衰减后的两端灯压信号；信号处理电路，用于对所述衰减后的两端灯压信号进行处理，并将处理后的信号发送至后续电路； 所述预处理电路包括： 信号衰减电路和第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述信号衰减电路的输出端连接所述第一MOS管的漏极，所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极连接的使能信号为同一使能信号，所述第一MOS管的源极连接节点，所述第二MOS管的漏极连接节点，所述第二MOS管的源极连接所述信号处理电路的输入端，所述第三MOS管的栅极连接所述同一使能信号的反相信号，所述第三MOS管的漏极连接所述节点，所述第三MOS管的源极接地。
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