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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种双沟道超结碳化硅MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329586.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种双沟道超结碳化硅MOSFET是由姚佳飞;杨凡;胡子伟;郭宇锋;陈静;李曼;杨可萌;张茂林;张珺设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双沟道超结碳化硅MOSFET在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双沟道超结碳化硅MOSFET，包括A型衬底、A型外延层、B型第二阱区、第一沟槽、第二沟槽、漏极金属、栅极金属、源极金属和肖特基金属；A与B的导电类型不同；A型外延层内设有超结区和两个B型第一阱区；超结区包括A型柱状条和两个B型柱状条；两个B型第一阱区设在两个B型柱状条顶部；第一沟槽和第二沟槽设在B型第二阱区两侧；肖特基金属设在第二沟槽底部；栅极金属悬浮在绝缘介质内，位于栅极金属下方的B型第一阱区顶部形成有第一导电沟道，邻近栅极金属的B型第二阱区侧壁形成有第二导电沟道。本发明能在保证高击穿电压和低比导通电阻的同时，还拥有优异的动态性能，并且有着较强的续流能力与较高的可靠性。

本发明授权一种双沟道超结碳化硅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种双沟道超结碳化硅MOSFET，其特征在于：包括A型衬底、A型外延层、B型第二阱区、第一沟槽、第二沟槽、漏极金属、栅极金属、源极金属和肖特基金属；其中，A型为N型或P型导电半导体，B型为P型或N型导电半导体，A与B的导电类型不同； 漏极金属、A型衬底、A型外延层、B型第二阱区和源极金属，从下至上依次布设； A型外延层内设置有超结区和位于超结区顶部两侧的两个B型第一阱区； 超结区厚度小于A型外延层的厚度，具体根据器件达到的最高品质因数进行选择； 超结区包括A型柱状条和位于A型柱状条两侧的两个B型柱状条；其中，两个B型柱状条分别为第一B型柱状条和第二B型柱状条； 两个B型第一阱区分别布设在两个B型柱状条顶部； 第一沟槽和第二沟槽布设在B型第二阱区两侧；其中，第一沟槽底部与第一B型柱状条顶部的B型第一阱区相接触，且与第一B型柱状条等宽布设；第二沟槽底部与第二B型柱状条顶部的B型第一阱区相接触，且与第二B型柱状条等宽布设； 肖特基金属布设在第二沟槽底部； 源极金属呈倒U型，具有边腿一和边腿二；其中，边腿一伸入第一沟槽内且与下方的B型第一阱区顶部相接触，边腿一内侧壁与B型第二阱区之间填充有绝缘介质；边腿二伸入第二沟槽内，且与肖特基金属顶部相接触； 栅极金属悬浮在绝缘介质内，位于栅极金属下方的B型第一阱区顶部形成有第一导电沟道，邻近栅极金属的B型第二阱区侧壁形成有第二导电沟道； 第一导电沟道长度L1和第二导电沟道长度L2相等； 第一导电沟道，能克服超结区带来的电流路径窄问题，补偿正向导通时器件的饱和电流。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司，其通讯地址为：210033 江苏省南京市栖霞区文苑路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。