太仓迪科力科技有限公司唐浩成获国家专利权
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龙图腾网获悉太仓迪科力科技有限公司申请的专利一种PVC芯片保护膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119912767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510213070.3，技术领域涉及：C08L27/06；该发明授权一种PVC芯片保护膜及其制备方法是由唐浩成;瞿清;陈高峰设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PVC芯片保护膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种PVC芯片保护膜及其制备方法，属于高分子材料技术领域；本发明以聚氯乙烯、增塑剂、超细丁苯橡胶、甲基丙烯酸缩水甘油酯、内润滑剂、外润滑剂、增强剂为原料，制备了一种PVC芯片保护膜，本发明通过先将各组分原料搅拌混合后静置，再将混合浆料经塑化、压延、剥离、冷却、收卷后得到一种PVC芯片保护膜；本发明的一种PVC芯片保护膜制备方法简单，比例可控，易于放大，制备得到的PVC芯片保护膜具有良好的耐热性和耐低温性能，能够适应更严苛的工作环境，黏结性好，且具有良好的耐候性和耐油性，不易氧化和溶胀变形。
本发明授权一种PVC芯片保护膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PVC芯片保护膜，其特征在于，包括以下质量份数的原料：聚氯乙烯100份、增塑剂10-12份、超细丁苯橡胶8-10份、甲基丙烯酸缩水甘油酯2-3份、内润滑剂0.2-0.4份、外润滑剂0.6-0.8份、增强剂0.8-1份； 其中，所述增强剂由以下步骤制成： 步骤1、将N-正丁基吡唑、溴化苄、乙腈混合于容器中，搅拌均匀后，在温度40-60℃条件下反应12h得到中间体1； 步骤2、将中间体1、六氟磷酸钾、去离子水混合于容器中，搅拌均匀后，室温条件下反应24h得到中间体2； 步骤3、将3-叔丁基水杨醛、2-叔丁基苯酚、苯胺、中间体2、无水乙醇混合于容器中，搅拌均匀后，在温度70-80℃条件下反应6h得到所述增强剂。
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