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龙图腾网获悉四川中久高装科技有限公司申请的专利一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510188588.6，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法是由凌源;王丁;严锐;冯小波;赵炳睿设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及其制备方法；该结构自下而上依次包括基底层结构、第一有源器件层、第一金属互连层、散热缓冲层、第二有源器件层、第二金属互连层以及顶层散热结构；其中，散热缓冲层采用相变材料填充的微通道结构，实现温度主动调控；顶层散热结构采用石墨烯‑微针阵列复合设计，具有可切换的散热模式；该结构显著提高了大功率射频芯片的散热效率，改善了器件可靠性，降低了散热结构对射频性能的影响，适用于5G通信等高频大功率应用场景。

本发明授权一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高效散热大功率射频芯片多层堆叠结构，其特征在于，所述堆叠结构自下而上依次包括：基底层结构、第一有源器件层、第一金属互连层、散热缓冲层、第二有源器件层、第二金属互连层以及顶层散热结构； 所述基底层结构自下而上包括：金属基板、绝缘介质层、表面微沟槽结构；所述金属基板由导热系数不小于200Wm·K的金属材料制成，厚度为0.5-2mm；所述绝缘介质层由氮化铝或氧化铝构成，热导率不小于170Wm·K，厚度为0.2-0.5mm；所述表面微沟槽结构，呈周期性分布，槽深10-50μm，周期50-200μm，槽壁倾角55°-75°； 所述第一有源器件层包括：射频功率放大器芯片、信号处理芯片、芯片间金线键合互连以及焊料层，所述金线键合互连的线径为18-25μm，弧高100-150μm； 所述第一金属互连层用于连接所述第一有源器件层和所述散热缓冲层，包括：梯度线宽的多层金属布线、垂直互连通道TSV和介质层；信号线最小线宽3μm，最大线宽20μm；垂直互连通道TSV采用长径比不小于10:1的铜填充结构；介质层的介电常数不大于3.0，损耗角正切不大于0.002； 所述散热缓冲层包括多个微通道结构，通道宽度50-200μm，深度150-300μm，间距200-400μm；所述微通道结构采用相变材料填充，相变温度范围60-80℃，潜热不小于150Jg；通道壁镀层采用亲水性镀层，接触角小于30°； 所述第二有源器件层包括：射频收发器芯片和数字控制电路；所述第二有源器件层均匀分布有倒装焊互连结构和散热凸点阵列，所述倒装焊互连结构焊点间距不大于100μm；所述散热凸点阵列间距200-400μm，高度50-80μm； 所述第二金属互连层用于连接所述第二有源器件层和所述顶层散热结构，所述第二金属互连层包括：差分对布线结构，线间距不大于线宽的3倍；电源分布网络，采用网格状结构，网格尺寸不大于λ20；电磁屏蔽墙，高度不小于信号线间距的5倍； 所述顶层散热结构自下而上依次为：铜质热扩散层、石墨烯热传导层、相变材料层和微针阵列；所述铜质热扩散层纯度不低于99.9%，厚度0.3-0.8mm；所述石墨烯热传导层的层数为20-50层，热导率不小于3000Wm·K；所述相变材料层的导热系数不小于5Wm·K；所述微针阵列的针高0.5-1.5mm，针径50-100μm，排列密度不小于25针mm2。

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