西南交通大学宋文胜获国家专利权
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龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113417.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统是由宋文胜;徐朋程;陈健;谭淏洋;杨柯欣;谢东;麻宸伟;葛兴来设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及IGBT模块监测技术领域，具体公开了一种多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统，首先确定监测多芯片IGBT模块芯片开路失效的健康敏感参数，然后测量多芯片IGBT模块的健康敏感参数值并将其转化为模拟电压信号VPG，然后确定判定多芯片IGBT模块发生芯片开路失效的模拟电压信号VPG的失效阈值VREF3，最后将实测的模拟电压信号VPG和失效阈值VREF3进行比对，判定多芯片IGBT模块是否发生芯片开路失效。本发明在不拆封多芯片IGBT模块封装的情况下，实现多芯片IGBT模块芯片开路失效监测，且仅需要采集栅极电压信号，受影响因素少，易于测量，具有非侵入性，可即插即用或集成在驱动电路中，易于实现多芯片IGBT模块的芯片开路失效原位监测。
本发明授权多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统在权利要求书中公布了：1.多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法，其特征在于，包括步骤： 确定监测多芯片IGBT模块芯片开路失效的健康敏感参数，该健康敏感参数与多芯片IGBT模块中有效芯片支路数量n相关，且至少不受母线电压和负载电流的影响；所述健康敏感参数确定为多芯片IGBT模块栅极电压从0上升到设定电压V SET的时间即栅极电压预充电时间t PG，设定电压V SET设置在多芯片IGBT模块最大工作电压时的平带电压以下； 测量多芯片IGBT模块的健康敏感参数值并将其转化为模拟电压信号V PG； 确定判定多芯片IGBT模块发生芯片开路失效的模拟电压信号V PG的失效阈值V REF3； 基于实测的模拟电压信号V PG和失效阈值V REF3判定多芯片IGBT模块是否发生芯片开路失效。
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