江苏超芯星半导体有限公司刘欣宇获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏超芯星半导体有限公司申请的专利一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119635420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411847283.3，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法是由刘欣宇;袁振洲;詹琳;阮俊海设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法，采用半径小于8英寸的陶瓷盘对8英寸碳化硅晶圆进行单面抛光，通过合理设置晶圆与陶瓷盘及抛光盘的距离，确保抛光过程中的力学平衡和高效抛光。抛光布和槽体的优化设计进一步增强了抛光液的流动性和均匀性。利用小尺寸晶圆作为辅助工具，提高了抛光过程的稳定性和加工灵活性，使得抛光后的晶圆表面平整度满足实际生产要求，同时显著降低了生产成本，提升了设备利用率和生产效率。本发明提供了一种高效、低成本、灵活性强的碳化硅晶圆抛光方法，具有显著的经济效益和实用价值。
本发明授权一种8英寸碳化硅晶圆单面抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆单面抛光方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.将第一碳化硅晶圆边缘处靠近陶瓷盘边缘设置，所述陶瓷盘边缘处靠近抛光盘的边缘处；所述第一碳化硅晶圆上距离陶瓷盘边缘处的最近点标记为A点，从A点处引出经过第一碳化硅晶圆圆心O3的直线，并且该直线与第一碳化硅晶圆另一侧边缘的交点为B，同时该直线通过陶瓷盘圆心O2； S2.取两片第二碳化硅晶圆设置在陶瓷盘空余区域上，两片第二碳化硅晶圆的圆心到第一碳化硅晶圆圆心处的距离相同； S3.O1为抛光盘的圆心，以O1为圆心做圆环，圆环外环与内环分别与直线AB相交，两个交点分别落在O2左右两侧，外环交点与O2之间距离为l1，内环交点与O2之间距离为l2，并且l1、l2和O2O3应满足：； S4.对位于步骤S3内外环范围内的抛光布额外开设槽体，沿原有槽体围绕形成的最小方形单元对角线开设新槽； S5.按照上述设置完成之后，分别对第一碳化硅晶圆的Si面与C面进行粗抛。
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