安徽华鑫微纳集成电路有限公司喻磊获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽华鑫微纳集成电路有限公司申请的专利一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity-SOI制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119774538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411822816.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity-SOI制备方法是由喻磊;张胜兵;赵井宇;安凯;廖启超设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity-SOI制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity‑SOI制备方法，本发明涉及Cavity‑SOI制作技术领域，方法包括获取空腔晶圆，对空腔晶圆进行一次热氧化工艺，形成一次热氧化层，采用湿法工艺刻蚀去除一次热氧化层，对空腔晶圆进行二次热氧化工艺，形成二次热氧化层，将空腔晶圆与另一片晶圆进行键合，获取Cavity‑SOI结构。本发明Cavity‑SOI制备方法，利用了热氧化工艺对非平面硅结构的拐角处的圆滑和下沉作用，运用两次热氧化工艺，削弱硅拐角处热氧化层的微凸起效果，并控制在顶部键合面以下，有利于后续的硅硅直接键合工艺。
本发明授权一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity-SOI制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空腔内壁布满热氧化层的Cavity-SOI制备方法，其特征在于，包括： S1、在晶圆上制作空腔，获取空腔晶圆110； S2、对空腔晶圆110进行一次热氧化工艺，形成一次热氧化层130； S3、采用湿法工艺刻蚀去除一次热氧化层130； S4、对空腔晶圆110进行二次热氧化工艺，形成二次热氧化层140； S5、将空腔晶圆110与另一片键合晶圆170进行键合，获取Cavity-SOI结构。
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