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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411739878.7，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法是由韩小涛;黄硕;陆俊设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法在说明书摘要公布了：本申请属于磁性测量领域，具体公开了一种扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法，包括：设置由内向外同轴嵌套串联绕制的第一线圈、第二线圈以及第三线圈；当第一线圈内部设置有待测样品时，待测样品受到背景磁场作用时，第一至第三线圈感应到相关的磁通，以探测待测样品在背景磁场作用下的磁矩；根据第一线圈至第三线圈与待测样品之间中截面偏离预设距离时引起的磁通的变化量确定所述第一线圈至第三线圈的匝数和平均匝面积，以便第一至第三线圈能够补偿所述背景磁场和所述中截面偏离引入的磁通变化量；第一至第三线圈处在所述背景磁场的作用范围内。通过本申请，能够有效优化探测线圈的测量均匀性，减少样品位置变化对于测试结果的影响。

本发明授权扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法在权利要求书中公布了：1.一种扁平型磁矩探测线圈拓展测量均匀区方法，其特征在于，包括： 设置由内向外同轴嵌套串联绕制的第一线圈、第二线圈以及第三线圈，所述第一线圈与第二线圈反向绕制，第一线圈与第三线圈同向绕制；当所述第一线圈内部设置有待测样品时，待测样品受到背景磁场作用时，所述第一线圈至第三线圈感应到相关的磁通，以探测待测样品在背景磁场作用下的磁矩； 根据所述第一线圈至第三线圈与待测样品之间中截面偏离预设距离时引起的所述磁通的变化量确定所述第一线圈至第三线圈的匝数和平均匝面积，以便所述第一线圈至第三线圈能够补偿所述背景磁场和中截面偏离程度在所述预设距离范围内时引入的磁通变化量；所述第一线圈至第三线圈处在所述背景磁场的作用范围内； 所述第一线圈至第三线圈的匝数和平均匝面积，由下式确定： 其中，φ1、φ2、φ3分别为第一线圈至第三线圈与待测样品之间中截面偏离预设距离时引起的磁通的变化量，N A、N B、N C分别为第一线圈至第三线圈的匝数，S A、S B、S C分别为第一线圈至第三线圈的平均匝面积。

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