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龙图腾网获悉成都膜芯智能科技有限公司申请的专利一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119597078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411470539.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器是由杨弘毅;龚义衡设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器，属于线性稳压器技术领域。所述低压差线性稳压器包括第一级放大电路，第二级放大电路，功率级电路以及阻尼系数控制电路。本发明通过在第二级放大器电路与功率级电路之间加入阻尼控制电路，对阻尼因子进行调整，使线性稳压器能够获得良好的稳定性与瞬态特性，此外该结构既可用于无片外电容结构，也可用于带片外电容结构。外电容结构外电容结构外电容结构外电容结构外电容结构。

本发明授权一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器在权利要求书中公布了：1.一种基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器，其特征在于：包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路、阻尼系数控制电路及功率级电路； 所述第一级放大电路用于提供高增益，输出一个稳定的电压值； 所述第二级放大电路，用于提高放大器的增益与摆幅，采用推挽输出增强摆率； 所述功率级电路，与所述第二级放大电路相连接，用于承担大电流负载，输出稳定的电压； 所述阻尼系数控制电路，用于控制电路的阻尼系数； 所述基于阻尼系数控制的低压差线性稳压器采用Cascode频率补偿，阻断前馈通路的影响，消除密勒电容补偿带来的右半平面的零点，同时采用对称型放大器，使输入电压钳位在固定电压，近似为电路补偿一个低频的左半平面的零点，使电路稳定； 所述第一级放大电路包括：第一PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一NMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管、第二十五NMOS管、第二十六NMOS管；其中： 第一PMOS管的栅极连接供电电压Vref3，第一PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极、第十五NMOS管的栅极、第二十五NMOS管的栅极、第二十六NMOS管的栅极； 第二NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极、第十NMOS管的栅极和漏极、第十四NMOS管的栅极、第二十三NMOS管的栅极与第二十四NMOS管的栅极，第二NMOS管的源级连接第四NMOS管的漏极； 第三NMOS管的漏极连接第六PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极、第八PMOS管的漏极、第十六PMOS管的栅极、第十九PMOS管的栅极、第二十PMOS管的栅极，第三NMOS管的源级连接第五NMOS管的漏极； 第六PMOS管的漏极连接第八PMOS管的源级； 第七PMOS管的漏极连接第九PMOS管的源级； 第八PMOS管的栅极连接第九PMOS管的栅极、第十三PMOS管的栅极、第十三PMOS管的漏极、第二十一PMOS管的栅极与第二十二PMOS管的栅极； 第九PMOS管的漏极连接第十NMOS管的漏极与第十NMOS管的栅极； 第十PMOS管的源级连接第十一NMOS管的漏极与第十一NMOS管的栅极； 第十二PMOS管的栅极连接第十二PMOS管的漏极与第十三PMOS管的源级； 第十三PMOS管的漏极连接第十四NMOS管的漏极； 第十四NMOS管的源级连接第十五NMOS管的漏极； 第十六PMOS管的漏极连接第十七PMOS管的源级和第十八PMOS管的源级； 第十七PMOS管的漏极连接第二十三NMOS管的源级与第二十五NMOS管的漏极； 第十八PMOS管的栅极连接供电电压Vref1，第十八PMOS管的漏极连接第二十四NMOS管的源级、第二十六NMOS管的漏极； 第十九PMOS管的漏极连接第二十一PMOS管的源级； 第二十PMOS管的漏极连接第二十二PMOS管的源级； 第二十一PMOS管的漏极连接第二十三NMOS管的漏级； 第二十二PMOS管的漏极连接第二十四NMOS管的漏级； 第一PMOS管的源级、第六PMOS管的源级、第七PMOS管的源级、第十二PMOS管的源级、第十六PMOS管的源级、第十九PMOS管的源极和第二十PMOS管的源极均连接供电电源VDD； 第四NMOS管的源级、第五NMOS管的源级、第十一NMOS管的源级、第十五NMOS管的源级、第二十五NMOS管的源级、第二十六NMOS管的源级均连接地； 所述第二级放大电路包括第二十七PMOS管、第二十八NMOS管、第二十九NMOS管、第三十NMOS管、第三十一NMOS管、第三十二PMOS管和第三十三PMOS管，其中： 第二十七PMOS管的栅极连接所述第一级放大电路中第三NMOS管的漏极，第二十七PMOS管的漏极连接第二十八NMOS管的漏极、第二十九NMOS管的漏极、第二十九NMOS管的栅极与第三十一NMOS管的栅极； 第二十八NMOS管的栅极与第三十NMOS管的栅极以及所述第一级放大电路中第二十二PMOS管的漏极连接； 第三十PMOS管的漏级连接第三十二PMOS管的漏极、第三十二PMOS管的栅极与第三十三PMOS管的栅极； 第三十一NMOS管的漏极连接第三十三PMOS管的漏极； 第二十八NMOS管的源级、第二十九NMOS管的源级、第三十NMOS管的源级、第三十一NMOS管的源级连接地； 第二十七PMOS管的源级、第三十二PMOS管的源级和第三十三PMOS管的源级连接所述供电电源VDD； 所述功率级电路包括：第三十四PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容； 第三十四PMOS管的源级连接所述供电电源VDD，第三十四PMOS管的栅极连接第三十一NMOS管的漏极，第三十四PMOS管的漏极连接第一电容的一端、第一电阻的一端与第二电容的一端； 第一电容的另一端与所述第一级放大电路中第二十六NMOS管的漏极连接； 第一电阻和第二电阻串联，第二电容与第一电阻并联，第二电阻的另一端连接地； 第二电容的另一端与所述第一级放大电路中第十七NMOS管的栅极连接； 所述阻尼系数控制电路包括第三十五PMOS管、第三十六PMOS管、第三十七NMOS管、第三十八NMOS管、第三十九NMOS管、第四十NMOS管、第四十一NMOS管、第四十二PMOS管、第四十三PMOS管、第四十四PMOS管、第四十五PMOS管和第三电容，其中： 第三十五PMOS管的栅极连接第三十六PMOS管的栅极、第三十六PMOS管的漏极、第三十七NMOS管的漏极与第四十五PMOS管的栅极，第三十五PMOS管的漏极连接第三十九NMOS管的漏极、第三十九NMOS管的栅极与第四十NMOS管的栅极； 第三十七NMOS管的源级连接第四十一NMOS管的漏极与第三十八NMOS管的源级；第三十七NMOS管的栅极连接第三电容的一端、第四十四NMOS管的漏级与第四十五PMOS管的漏极； 第三十八NMOS管的栅极连接供电电压Vref2，第三十八NMOS管的漏极连接第四十二PMOS管的漏极，第四十二PMOS管的栅极与第四十三PMOS管的栅极； 第四十NMOS管的漏极连接第四十三PMOS管的漏极； 第四十一NMOS管的栅极连接所述第一级放大电路中第一PMOS管的漏极； 第四十四PMOS管的栅极连接第三电容的另一端、以及第二放大电路中第三十一NMOS管的漏极； 第三十五PMOS管的源级、第三十六PMOS管的源级、第四十二PMOS管的源级、第四十三PMOS管的源级和第四十五PMOS管的源级连接所述供电电源VDD； 第三十九NMOS管的源级、第四十NMOS管的源级、第四十一NMOS管的源级、第四十四PMOS管的源级连接地。

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