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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383450.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺是由童浩;汪宾浩;郑盼盼;缪向水设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺，包括：在三维存储器基片上形成第一网状掩膜层，通过刻蚀将第一网状掩膜层的图案转移到三维存储器基片上形成圆形孔洞阵列；在三维存储器基片上形成第二网状掩膜层，通过刻蚀将第二网状掩膜层的图案转移到三维存储器基片上形成环状凹槽阵列；环状凹槽阵列中的环状凹槽与圆形孔洞阵列中的圆形孔洞一一对应，圆形孔洞位于对应的环状凹槽的中心；第一网状掩膜层包括第一条状掩模层和第二条状掩模层，第二网状掩膜层包括第三条状掩模层与第四条状掩模层组成；第一条状掩模层、第二条状掩模层、第三条状掩模层和第四条状掩模层均通过自对准双重成像制备。本发明微缩存储单元尺寸，提升存储密度。

本发明授权一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于自对准双重成像的三维存储器制备工艺，其特征在于，包括： 在三维存储器基片上形成第一网状掩膜层，通过刻蚀将所述第一网状掩膜层的图案转移到所述三维存储器基片上形成圆形孔洞阵列； 在所述三维存储器基片上形成第二网状掩膜层，通过刻蚀将所述第二网状掩膜层的图案转移到所述三维存储器基片上形成环状凹槽阵列； 所述环状凹槽阵列中的环状凹槽与所述圆形孔洞阵列中的圆形孔洞一一对应，所述圆形孔洞位于对应的环状凹槽的中心； 所述第一网状掩膜层包括第一条状掩模层和第二条状掩模层，所述第二网状掩膜层包括第三条状掩模层与第四条状掩模层组成； 所述第一条状掩模层、第二条状掩模层、第三条状掩模层和第四条状掩模层均通过自对准双重成像制备； 所述第一条状掩模层和第二条状掩模层中所有条状线条的间距均为c，条状线条的宽度均为a； 所述第三条状掩模层和第四条状掩模层中所有条状线条的间距均为f，条状线条的宽度均为d； 其中，a+c＝d+f，d＜a，f＞c。

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