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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种超低容器件及超低容TVS管阵列结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168599U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422339047.2，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种超低容器件及超低容TVS管阵列结构是由贺健民;张关保;王康;张彪设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低容器件及超低容TVS管阵列结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及超低容器件，具体涉及一种超低容器件及超低容TVS管阵列结构，N型外延层与隔离层之间由左到右依次嵌设有第一N型扩散区、第一P型扩散区、第二N型扩散区、第三N型扩散区、第二P型扩散区和第四N型扩散区；N型外延层上开设有多个隔离槽，隔离槽向下延伸至P型衬底层内；隔离层顶部设有第一正面金属层和第二正面金属层，第一正面金属层与第一N型扩散区、第一P型扩散区贴合；第二正面金属层与第二N型扩散区、第三N型扩散区、第二P型扩散区和第四N型扩散区贴合。本实用新型能够提高超低容TVS管阵列的整体稳定性，而且还能够拓宽超低容TVS管阵列的工作电压范围。

本实用新型一种超低容器件及超低容TVS管阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种超低容器件，其特征在于：包括由下至上依次贴合的背面金属层1、P型衬底层2、P型外延层3、N型外延层4和隔离层5； 所述P型外延层3与N型外延层4之间设有N型埋层6； 所述N型外延层4与隔离层5之间由左到右依次嵌设有第一N型扩散区7、第一P型扩散区8、第二N型扩散区9、第三N型扩散区10、第二P型扩散区11和第四N型扩散区12； 所述N型外延层4上开设有分布于第一N型扩散区7两侧、第一P型扩散区8和第二N型扩散区9两侧、第三N型扩散区10、第二P型扩散区11和第四N型扩散区12两侧的隔离槽13，隔离槽13向下延伸至P型衬底层2内； 所述隔离层5上开设有分别与第一N型扩散区7、第一P型扩散区8、第二N型扩散区9相对应的第一N型扩散区7接触孔、第一P型扩散区8接触孔、第二N型扩散区9接触孔，以及与第三N型扩散区10、第二P型扩散区11和第四N型扩散区12相对应的组合式接触孔； 所述隔离层5顶部设有第一正面金属层14和第二正面金属层15，第一正面金属层14通过第一N型扩散区7接触孔和第一P型扩散区8接触孔与第一N型扩散区7、第一P型扩散区8贴合；第二正面金属层15通过第二N型扩散区9接触孔、组合式接触孔与第二N型扩散区9、第三N型扩散区10、第二P型扩散区11和第四N型扩散区12贴合。

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