西安迈驰半导体科技有限公司贺健民获国家专利权
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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种用于ESD保护的SCR器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168606U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422339608.9，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种用于ESD保护的SCR器件结构是由贺健民;张关保;张彪;王康设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于ESD保护的SCR器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及SCR器件结构，具体涉及一种用于ESD保护的SCR器件结构，包括P型衬底层，P型衬底层上设有顶部与隔离层底部相接的N型阱和两个P型阱；两个P型阱分布于N型阱两侧且与其相接；N型阱上设有两个顶部与隔离层底部相接的P型有源区；P型阱上设有顶部与隔离层底部相接的N型有源区；隔离层顶部设有阳极金属层和阴极金属层，阳极金属层底部穿过隔离层与两个P型有源区、N型阱相接；阴极金属层底部穿过隔离层与P型有源区相接。本实用新型通过引入阳极金属层与N型阱直接相连形成的肖特基接触代替常规的欧姆接触，由于肖特基接触具有较低的电容值，使SCR器件结构可以实现更低的电容值，使其能够适用于高频和高速的应用场合。
本实用新型一种用于ESD保护的SCR器件结构在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD保护的SCR器件结构，其特征在于：包括P型衬底层1，以及设置于其顶部的隔离层2； 所述P型衬底层1上设有顶部与隔离层2底部相接的N型阱3和两个P型阱4；两个P型阱4分布于N型阱3两侧且与其相接； 所述N型阱3上设有两个顶部与隔离层2底部相接的P型有源区5； 所述P型阱4上设有顶部与隔离层2底部相接的N型有源区6； 所述隔离层2顶部设有阳极金属层7和阴极金属层8，阳极金属层7底部穿过隔离层2与两个P型有源区5、N型阱3相接；阴极金属层8底部穿过隔离层2与P型有源区5相接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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