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龙图腾网获悉西安迈驰半导体科技有限公司申请的专利一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223168607U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422340203.7，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构是由贺健民;王康;张彪;张关保设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及SCR器件结构，具体涉及一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构，第一P型阱上设有多个第一P型扩散区，以及两个分布于多个第一P型扩散区两侧的第一N型扩散区；第一N型阱上设有第二P型扩散区；第一N型阱与第二P型阱相接处设有第二N型扩散区；第三P型阱上设有第三N型扩散区；第三P型阱与第二N型阱相接处设有第三P型扩散区；第一正面金属层的底部与第一P型扩散区、第一N型扩散区相接；第二正面金属层的底部与第二P型扩散区、第二N型扩散区相接；第三正面金属层的底部与第三P型扩散区、第三N型扩散区相接。本实用新型可以显著降低器件的维持电压，提高ESD保护性能，满足小型化芯片对ESD保护的严格要求。

本实用新型一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD保护的双向低残压SCR器件结构，其特征在于：包括P型衬底1，以及设置于P型衬底1顶部的隔离层2； 所述P型衬底1上设有顶部与隔离层2底部相接的第一P型阱3，以及两组对称分布于第一P型阱3两侧且由内到外依次相接的第一N型阱4、第二P型阱5、第二N型阱6和第三P型阱7； 所述第一P型阱3上设有多个顶部与隔离层2底部相接的第一P型扩散区8，以及两个分布于多个第一P型扩散区8两侧的第一N型扩散区9； 所述第一N型阱4上设有顶部与隔离层2底部相接的第二P型扩散区10；所述第一N型阱4与第二P型阱5相接处设有顶部与隔离层2底部相接的第二N型扩散区11； 所述第三P型阱7上设有顶部与隔离层2底部相接的第三N型扩散区13；所述第三P型阱7与第二N型阱6相接处设有顶部与隔离层2底部相接的第三P型扩散区12； 所述隔离层2顶部设有第一正面金属层14，以及分布于第一正面金属层14两侧的第二正面金属层15、第三正面金属层16； 所述第一正面金属层14的底部与第一P型扩散区8、第一N型扩散区9相接；所述第二正面金属层15的底部与第二P型扩散区10、第二N型扩散区11相接；所述第三正面金属层16的底部与第三P型扩散区12、第三N型扩散区13相接。

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