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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211107789.1，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法是由严佳豪;杨心珠;刘心悦设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于层状材料光电探测技术领域，提供了一种层状阵列化TMDC少层过渡金属硫族化物异质结、光电探测器及其制备方法。本发明提供的层状阵列化TMDC异质结，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC；所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构。本发明的异质结中，第一层状TMDC具有的阵列结构，提高了层状TMDC的光学增强效应；同时，光学增强效应促进了光生载流子的产生以及电子与空穴对的分离，进而使得由层状阵列化TMDC异质结构建的光电探测器具有较高的光响应度和较快的响应时间；另外，在不同偏振下纳米阵列结构的光学共振具有差异，同样在进行光电探测时，丰富了光电探测器的偏振敏感探测能力。

本发明授权一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种层状阵列化TMDC异质结，其特征在于，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC； 所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构； 所述第一层状TMDC和第二层状TMDC的材质不同； 所述纳米阵列结构包括纳米条阵列结构或纳米孔阵列结构； 所述纳米条阵列结构的参数包括：纳米条的宽度为200~400nm，凹槽的深度为20~Nnm，相邻纳米条的间距为200~500nm；所述凹槽的深度中的N为第一层状TMDC的厚度； 所述纳米孔阵列结构的参数包括：纳米孔的直径为200~400nm，纳米孔的孔深为20~Nnm，纳米孔的间距为200~500nm；所述纳米孔的孔深中的N为第一层状TMDC的厚度； 所述第一层状TMDC和第二层状TMDC的材质独立地为ReS2、WSe2、WS2、MoSe2或MoS2； 所述第一层状TMDC的厚度为20nm~150nm；所述第二层状TMDC的厚度为5nm~100nm； 所述层状阵列化TMDC异质结的制备方法，包括以下步骤： 将第一层状TMDC材料转移到衬底上，进行刻蚀，得到第一层状TMDC； 将第二层状TMDC材料转移到第一层状TMDC上，得到层状阵列化TMDC异质结。

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