瑞萨电子株式会社相马治获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件和电子控制装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910623313.5，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权半导体器件和电子控制装置是由相马治设计研发完成，并于2019-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子控制装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件和电子控制装置。提供了一种能够切断从负载到电源的反向电流的半导体器件和电子控制装置。功率晶体管QN1被提供在正电源端子Pi2+与负载驱动端子Po2+之间，并且具有耦合到正电源端子Pi2+的源极和背栅。功率晶体管QN2与功率晶体管QN1被串联提供，并且功率晶体管QN2的源极和背栅耦合到负载驱动端子Po2+。升压器CP1a对功率晶体管QN1的栅极充电。当负电源端子Pi2‑的电位高于正电源端子Pi2+的电位时，栅极放电电路DCG1a将功率晶体管QN1的栅极电荷放电到源极。
本发明授权半导体器件和电子控制装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 正电源端子和负电源端子，被耦合到电源； 串联连接的第一功率晶体管和第二功率晶体管，其中所述第一功率晶体管的耐压小于所述第二功率晶体管的耐压； 负载驱动端子，被耦合到负载，其中所述第一功率晶体管的源极和背栅被耦合到所述正电源端子，并且所述第一功率晶体管的漏极经由所述第二功率晶体管被耦合到所述负载驱动端子，其中所述第二功率晶体管的源极和背栅被耦合到所述负载驱动端子，并且所述第二功率晶体管的漏极被耦合到所述正电源端子； 第一升压电路，用于对所述第一功率晶体管的栅极充电； 第一栅极放电电路，用于当所述负电源端子的电位高于所述正电源端子的电位时，将所述第一功率晶体管的栅极电位放电到所述源极；以及 负电位检测电路，用于区分所述电源的反向连接和在所述电源处施加负电涌，并且根据区分结果向所述第一栅极放电电路和所述第一升压电路提供相应的输出， 其中所述第一栅极放电电路包括n沟道型的短路晶体管，n沟道型的所述短路晶体管用于当所述负电源端子的所述电位高于所述正电源端子的所述电位时，将所述第一功率晶体管的所述栅极短接到所述源极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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