珠海元记忆电子科技有限公司何东歌获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海元记忆电子科技有限公司申请的专利金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223181145U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521260207.2，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构是由何东歌;刘宣廷设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构，封装管壳包括位于底部的衬底和位于周围的管壁，管壳衬底内侧设有多层布线基体，多层布线基体包括交替沉积的导电膜层和绝缘膜层的多层薄膜结构，该基体的顶层导电膜层上面还包括有沉积的第一类金刚石膜，该第一类金刚石膜上设有焊接芯片的焊盘。算力芯片的封装结构，包括金刚石陶瓷封装管壳、盖板、算力芯片以及通过沉积形成的第二类金刚石膜，算力芯片与第一类金刚石膜的焊盘焊接，第二类金刚石膜将算力芯片与金刚石陶瓷封装管壳连为一体。薄膜结构的多层布线基体能有效提升封装芯片高保真性能及散热功效，并使得封装芯片更加小型化。
本实用新型金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种金刚石陶瓷半导体封装管壳，包括位于底部的衬底和位于周围的管壁，所述衬底设有复数个通孔，该通孔外侧设有焊盘，所述衬底内侧设有多层布线基体，其特征在于： 所述多层布线基体包括沉积形成的导电膜层和绝缘膜层交替层叠的多层薄膜结构，在所述多层布线基体的顶层导电膜层上面还包括有沉积形成的第一类金刚石膜，该第一类金刚石膜上设有用于焊接芯片的焊盘。
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