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龙图腾网获悉金昌镍都矿山实业有限公司;金川集团股份有限公司申请的专利一种集成电路用镍硅系铜合金带材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510667673.0，技术领域涉及：C22C1/10；该发明授权一种集成电路用镍硅系铜合金带材及其制备方法是由赵长忠;钱治国;刘富;王伟志;高云鹏;崔伯锋;韩哲;白金文;李万林设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路用镍硅系铜合金带材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路用镍硅系铜合金带材及其制备方法，属于铜合金带材技术领域，该制备方法包括将镍硅系铜合金铸锭经过锯切、热轧开坯、铣面、粗轧、厚剪、退火和清洗处理，镀镍氧化锆粉末有助于其他金属元素在其孔隙中形成通路，减少对导电率和导热率的影响，并且通过其钉扎效应提高带材的力学性能，最终制备的镍硅系铜合金带材表面光滑，色泽均匀且呈哑光状态，性能上具有较高的抗拉强度、导电率、抗软化温度和导热率，经过90°弯折试验后仍然具有较好表观状态，满足集成电路的使用要求。

本发明授权一种集成电路用镍硅系铜合金带材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路用镍硅系铜合金带材的制备方法，该制备方法包括：将镍硅系铜合金铸锭经过锯切、热轧开坯、铣面、粗轧、厚剪、退火和清洗处理，其特征在于，镍硅系铜合金铸锭通过如下步骤制备： 步骤一：通过硝酸镍和氨水在Zr-MOF中生成氢氧化镍沉淀，然后在空气氛围下煅烧，得到锆镍复合氧化物粉末后经过还原处理，得到镀镍氧化锆粉末； 步骤二：将金属镍、铜镁合金加入真空熔炼炉中，抽真空至10Pa，1300-1350℃加热至完全熔化，加入熔体质量0.12-0.15%的精炼剂并继续精炼20-30min，除渣后在氩气保护下加入铜硅合金、铜镧合金和铜镁合金，继续熔炼10-15min，将镀镍氧化锆粉末在氩气保护和300-350℃的条件下保温20-30min，然后采用氩气载流喷吹法将除气后的镀镍氧化锆粉末注入熔体中，继续熔炼30-40min，30-40kHz的频率下超声3-5min，再将熔体采用立式连铸的方式铸造成型并且采用喷雾环喷雾冷却，得到镍硅系铜合金铸锭； 所述锆镍复合氧化物粉末的具体制备步骤如下： 将Zr-MOF和10wt%的硝酸镍溶液转移至反应釜中，200-500rmin搅拌10-20min，超声分散5-10min，用氨水调节pH值至7.5-8.5，50-60℃和0.05-0.08MPa下真空浸渍1-2h，室温静置陈化6-8h，离心过滤，将沉淀真空干燥至恒重，然后转移至管式炉中，在空气氛围下，2-3℃min升温至250-300℃并保温2-4h，4-5℃min升温至700-800℃并保温2-3h，自然冷却至室温，研磨粉碎，得到锆镍复合氧化物粉末； 所述Zr-MOF和硝酸镍溶液的用量比为1g：5-10mL。

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