无锡硅动力微电子股份有限公司励晔获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡硅动力微电子股份有限公司申请的专利一种D-GaN驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120185598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510671519.0，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种D-GaN驱动电路是由励晔;黄昊丹设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种D-GaN驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种D‑GaN驱动电路，分段驱动模块，采用弱驱‑强驱分段控制策略，结合延时电路动态调节驱动强度，降低开关过程中的电压突变率，从而抑制EMI；比例采样模块，基于运放反馈和电流镜结构，将主功率管电流按比例缩小后采样，使采样电阻损耗趋近于零，提升系统转换效率，缓解动态导通电阻劣化，实现低损耗电流采样；快速放电模块，采用TVS器件在关断阶段泄放残余电荷，采用精准的快速放电电压钳位电路，通过瞬态电压抑制器（TVS）在关断阶段快速泄放栅极电荷，避免因电压过冲导致的器件击穿，解决了现有技术中栅极可靠性差、EMI干扰严重以及动态导通电阻劣化等问题。
本发明授权一种D-GaN驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种D-GaN驱动电路，其特征在于，包括： 分段驱动模块，用于根据PWM信号分阶段调节驱动强度； 比例采样模块，用于通过电流镜和运放反馈实现低损耗电流采样； 快速放电模块，采用TVS器件在关断阶段泄放残余电荷； 所述分段驱动模块与所述比例采样模块的驱动管M1和比例管M2的栅极电性连接； 所述比例采样模块的驱动管M1与快速放电模块电性连接； 所述分段驱动模块包括： 反相器INV1、弱驱动单元和强驱动单元； 所述反相器INV1输入端连接有PWM信号； 所述弱驱动单元包括NMOS管MN1和PMOS管MP1； 所述强驱动单元包括NMOS管MN2和PMOS管MP2； 所述弱驱动单元与所述强驱动单元通过延时电路分时导通； 所述延时电路包括延时电路Delay1和延时电路Delay2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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