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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种含限压保护电路直流固态断路器的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120150064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510614146.3，技术领域涉及：H02H3/087；该发明授权一种含限压保护电路直流固态断路器的控制方法是由帅智康;魏德轩;方辰晨;王伟;孙贤大;钟政设计研发完成，并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含限压保护电路直流固态断路器的控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含限压保护电路的直流固态断路器及其控制方法，包括固态开关模块；固态开关模块包括相同的第一子模块和第二子模块，均包括SiCJFET器件J、电容C、C gd和C gs、比较器U、MOSFET器件Q、电阻R g及电阻r a和r b；R g第一端用于接收驱动信号，R g第二端与C第一端、C gd第二端和C gs第一端相连后连接至J的栅极；r a第二端和r b第一端相连作为比较电压采样点；r a第一端连接至C gd第一端和J的漏极；r b第二端连接至C gs第二端、Q的源极和J的源极；C第二端连接至Q的漏极；U输出端连接至Q的栅极；U正极输入为比较电压，负极输入为参考电压；第一子模块J的源极连接至第二子模块J的漏极。

本发明授权一种含限压保护电路直流固态断路器的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种含限压保护电路直流固态断路器的控制方法，其特征在于，所述直流固态断路器包括固态开关模块、采样模块、隔离模块、FPGA模块和驱动模块； 所述固态开关模块包括第一子模块和第二子模块，所述第一子模块和第二子模块的结构相同，均包括SiCJFET分立器件、电容和、比较器、低压MOSFET器件、驱动电阻以及采样电阻和；的第一端用于接收驱动信号，的第二端与的第一端、的第二端和的第一端相连后连接至的栅极；的第二端和的第一端相连作为比较电压的采样点；的第一端连接至的第一端和的漏极；的第二端连接至的第二端、的源极和的源极；的第二端连接至的漏极；的输出端连接至的栅极；的负极输入为所述比较电压，正极输入为预设参考电压； 所述第一子模块中的源极连接至所述第二子模块中的漏极；直流母线电流由所述第一子模块中的漏极流入，由所述第二子模块中的源极流出； 所述采样模块用于采样流入所述固态开关模块的电流信息，并经过所述隔离模块将所述电流信息发送至所述FPGA模块；所述FPGA模块用于根据所述电流信息控制所述驱动模块向所述固态开关模块发送驱动信号； 所述方法包括：当判定直流母线发生故障时，通过所述FPGA模块控制所述驱动模块向所述固态开关模块发送驱动信号，控制所述第一子模块和第二子模块的SiCJFET分立器件关断；当所述第一子模块或第二子模块出现过电压情况时，记出现过电压情况的子模块为故障子模块；所述故障子模块的比较器输出低电平，控制所述故障子模块的低压MOSFET器件导通，此时故障子模块中电容接入SiCJFET分立器件的栅极和源极。

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