中国科学技术大学陈双明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120121658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510607287.2，技术领域涉及：G01N23/2273；该发明授权近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置及其制备方法和应用是由陈双明;夏雨健;张子峻;刘啸嵩设计研发完成，并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及同步辐射近常压X射线光电子能谱气体隔离领域，具体是近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置及其制备方法和应用。本发明提供的隔离装置，将设置有贯通锥孔的双面镀氮化硅窗片与空心圆台金属部件联用，所述贯通锥孔是一个超小尺寸的氮化硅窗口，可以实现超高的探测器区域和样品区域的压力差，获得远超现有技术达到的隔离气体的能力，解决了现有技术在孔径过大、难以实现高工作压力方面存在的弊端。试验表明，应用本发明所述隔离装置的近常压X射线光电子谱仪，当高压侧压力在1010mbar时，低压侧压力约为9.36×10‑3mbar。
本发明授权近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.近常压X射线光电子谱仪用气体隔离装置，其特征在于，包括： 空心圆台金属部件，所述空心圆台金属部件的下底面开放和上底面设置有贯通孔； 连接在所述空心圆台金属部件的上底面的设置有贯通锥孔的双面镀氮化硅窗片，所述贯通锥孔的大端与所述空心圆台金属部件的上底面的贯通孔相接，所述贯通锥孔的小端孔径尺寸为20µm~800µm； 所述设置有贯通锥孔的双面镀氮化硅窗片由双面镀氮化硅窗片制得，所述双面镀氮化硅窗片包括： 硅晶片衬底； 分别设置在所述硅晶片衬底的两面的第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜。
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