陛通半导体设备(苏州)有限公司吴先亮获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592284.6，技术领域涉及：C23C14/22；该发明授权可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备是由吴先亮;宋维聪;潘学勤;解文骏;睢智峰;周云;曹辉设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备。沉积环由内至外包括依次间隔且同心设置的中心部、内圆环及外圆环；内圆环通过多个间隔设置的第一支撑杆与中心部连接，通过多个间隔设置的第二支撑杆与外圆环连接；所述沉积环还包括多个间隔设置的连接杆，多个连接杆一端与外圆环连接，另一端沿背离沉积环的方向延伸，用于将沉积环与外部结构滑动连接。本发明的沉积环经优化的结构设计，在用于薄膜沉积设备时，可显著提高薄膜沉积均匀性，有助于改善晶圆表面的热量分布，减少晶须等表面缺陷。采用具有本发明的沉积环的沉积设备，可以在不增加工艺步骤的情况下改善薄膜沉积均匀性，有助于提高设备产出率，降低生产成本。
本发明授权可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种可改善厚膜沉积均匀性的沉积环，其特征在于，所述沉积环由内至外包括依次间隔且同心设置的中心部、内圆环及外圆环；内圆环通过多个间隔设置的第一支撑杆与中心部连接，通过多个间隔设置的第二支撑杆与外圆环连接；所述沉积环还包括多个间隔设置的连接杆，多个连接杆一端与外圆环连接，另一端沿背离沉积环的方向延伸，用于将沉积环与外部结构滑动连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陛通半导体设备(苏州)有限公司，其通讯地址为：215413 江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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